我国半导体分立器件的命名方法
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我国半导体分立器件的命名法
表9 国产半导体分立器件型号命名法
|
第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 | |||||
|
用数字表示器件电极的数目 |
用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 |
用汉语拼音字母
表示器件的类型 |
|||||||
|
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 | ||
|
2
3 |
二极管
三极管 |
A
B
C
D
A
B
C
D
E |
P型，锗材料
N型，硅材料
P型，硅材料
PNP型，锗材料
NPN型，锗材料
PNP型，硅材料
NPN型，硅材料
化合物材料 |
P
V
W
C
Z
L
S
N
U
K
X
G |
普通管
微波管
稳压管
参量管
整流管
整流堆
隧道管
阻尼管
光电器件
开关管
低频小功率管
（ ＜3MHz,
PC<1W）
高频小功率管
（ ³3MHz
PC<1W） |
D
A
T
Y
B
J
CS
BT
FH
PIN
JG |
低频大功率管
（ ＜3MHz,
PC³1W)
高频大功率管
（ ³3MHz
PC³1W）
半导体闸流管
(可控硅整流器)
体效应器件
雪崩管
阶跃恢复管
场效应器件
半导体特殊器件
复合管
PIN型管
激光器件 | ||
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