国际电子联合会半导体器件命名方法
EDA/IC设计
1065人已加入
描述
国际电子联合会半导体器件命名法
表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法
|
第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 | ||||||
|
用字母表示使用的材料 |
用字母表示类型及主要特性 |
用数字或字母加数字表示登记号 |
用字母对同一型号者分档 | ||||||
|
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
|
A |
锗材料 |
A |
检波、开关和混频二极管 |
M |
封闭磁路中的霍尔元件 |
三
位
数
字 |
通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） |
A
B
C
D
E
L |
|
|
B |
变容二极管 |
P |
光敏元件 | ||||||
|
B |
硅材料 |
C |
低频小功率三极管 |
Q |
发光器件 | ||||
|
D |
低频大功率三极管 |
R |
小功率可控硅 | ||||||
|
C |
砷化镓 |
E |
隧道二极管 |
S |
小功率开关管 | ||||
|
F |
高频小功率三极管 |
T |
大功率可控硅 |
一
个
字
母
加
两
位
数
字 |
专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） | ||||
|
D |
锑化铟 |
G |
复合器件
及其它器件 |
U |
大功率开关管 | ||||
|
H |
磁敏二极管 |
X |
倍增二极管 | ||||||
|
R |
复合材料 |
K |
开放磁路中的霍尔元件 |
Y |
整流二极管 | ||||
|
L |
高频大功率三极管 |
Z |
稳压二极管即齐纳二极管 | ||||||
FE或NF）进行分档。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- 命名方法
-
各国半导体器件型号命名方法介绍2009-11-28 750
-
半导体器件型号命名方法要的进2011-10-23 0
-
元器件的完整型号说明和各国命名方法2018-10-30 0
-
半导体命名方法相关资料推荐2021-05-25 0
-
半导体器件型号的命名方法2008-09-30 562
-
半导体型号命名方法2006-04-17 1060
-
半导体分立器件的命名方法2008-12-19 1595
-
我国半导体分立器件的命名方法2008-12-19 1546
-
美国半导体器件型号命名方法2008-12-19 1241
-
半导体二极管型号命名方法2009-11-12 2338
-
中国半导体器件型号命名方法2010-01-15 2516
-
美国半导体分立器件型号命名方法2010-01-16 1239
-
日本半导体分立器件型号命名方法2010-02-06 1609
-
国际电子联合会半导体器件型号命名法2012-05-11 250
-
微软与美国劳工联合会和产业工会联合会建立新的合作伙伴关系 讨论AI2023-12-12 906
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
×
20
完善资料，
赚取积分
赚取积分