氮化镓充电器这样设计，你喜欢的不得了

“GaN”中文名“氮化镓”，是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信，被誉为第三代半导体材料。随着技术突破成本得到控制，目前氮化镓还被广泛运用到消费类电子等领域，充电器便是其中一项。

采用了GaN氮化镓元件的充电器最直观的感受就是体积小、重量轻，在发热量、效率转换上相比普通充电器也有更大的优势，大大的提升了我们的使用体验。

纳微NV6115目前已被45W GaN PD充电器采用

纳微半导体 NV6115 详细资料

用料方面，市场上的大部分PD充电产品内部采用了行业前沿的GaN氮化镓技术，内置Navitas纳微半导体的NV6115氮化镓芯片，高度集成的驱动威廉希尔官方网站 和单晶片的设计使得氮化镓芯片的开关频率大幅度提高，最终实现产品的小型化和高效率。