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Pn结的形成:离子注入、热扩散法、合金法
半导体均带4个电子(最外层)
在T=0K(-273°C)本征半导体相当于绝缘体
在一定的温度下,或者受到光照时,价电子获得一定的额外能量,一部分价电子冲破共价键的束缚变成自由电子——本征激发(载流子浓度增加)
自由电子与空穴均为载流子
复合过程:自由电子与空穴的结合形成价电子导致载流子浓度降低
本征载流子浓度:对温度非常敏感,随着T的增加,载流子浓度按指数规律增加,室温下,本征半导体导电能力非常弱
在N型半导体中:自由电子——多数载流子,简称多子;
空穴——少数载流子,简称少子;
自由电子数=空穴数+施主正离子,所以依旧呈电中性。
在P型半导体中,空穴——多子;
自由电子——少子;
空穴数=自由电子数+受主负离子,电中性。
结论:在热平衡下,多子浓度值与少子浓度值得乘积恒等于本征载流子浓度值得平方。
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