肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制

大家好，本周小赛给大家介绍的是《涨知识啦》系列内容：肖特基势垒二极管(SBD)基本的电流输运机制。图1展示了SBD外加正向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-5分别为：

1.      热激发电流 （半导体一侧的电子跨过势垒进入金属）

2.      隧穿电流   （电子隧穿通过势垒）

3.      复合电流   （耗尽区中的电子空穴发生复合）

4.      电子扩散流 （耗尽区中的电子扩散）

5.      空穴扩散流 （耗尽区中的空穴扩散）

图1正向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。图2展示了SBD外加反向偏置时，器件内部的能带及载流子输运机制。其中，编号1-2分别为：

1.      热激发电流（金属一侧的电子跨过势垒进入半导体）

2.      空间电荷区产生电流

图2反向偏置时，SBD内部能带及载流子输运分布示意图。

以上就是SBD基本的电流输运机制的全部内容，欢迎大家一起交流讨论！

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