芯片巨头“美光”11月10日正式宣布,将向客户交付176层TLC NAND闪存。
这使得“美光”成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。
176层NAND支持的接口速度为 1600MT / s,高于其96层和128层闪存的 1200MT/s。与 96L NAND相比,读(写)延迟提高了35% 以上,与128LNAND 相比,提高了25%以上。美光表示其176层3D NAND已开始批量生产,已经搭载在某些英睿达的消费级SSD产品中。
美光表示,新的176层NAND的厚度仅为一张打印纸的五分之一,尽管其堆叠层数已经达到了原来的64层NAND的两倍,但厚度仍可以控制在和以前64层NAND颗粒同样的水平。176层设计来自将两个88层堆栈堆叠在一起,之前的128层和96层TLC其实就是这种技术的产物。由于仍然是TLC NAND颗粒而不是QLC,因此新的产品理论上也会有更好的耐久性。
美光还表示,公司的176层NAND具有里程碑式的意义:一方面,目前该技术达到的颗粒密度已经是早期3D NAND设计的近10倍,意味着同体积的NAND颗粒可以存储更多的东西;其次,对于价格的影响,闪存颗粒在密度上的提升最终会作用到产品的售价上,虽然这两年的存储市场不能算很太平,但总体上,价格还是在逐渐慢降低。
原文标题:芯片大突破
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责任编辑:haq
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