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MOSFET数据表的UIS雪崩额定值

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.08 MB | 2020-11-25

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　　在看到 MOSFET 数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然（BVDS、RDS（ON）、栅极电荷），其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可（IDA、SOA 曲线），而其它的某些参数自始至终就毫无用处（比如说：开关时间）。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解 FET 数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。自从 20 世纪 80 年代中期在 MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 （UIS） 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在实际应用中使用 FET 的重复雪崩，工程师们已经学会了用这个度量标准在制定新器件开发方案时避免那些有可能导致问题的脆弱器件。在温度范围内具有特别薄弱 UIS 能力或者发生严重降级的器件（25°C 至 125°C 之间大于 30%）应当被禁止，因为这些器件会更容易受到故障的影响。设计人员也应该对制造商在额定值上捣鬼，夸大他们的 FET 雪崩能力而感到厌烦。 UIS 测试由图 1 中所示的测试威廉希尔官方网站 执行。在 FET 关闭时，其上施加了一个电源电压，然后检查器件上是否有泄露。在 FET 接通时，电感器电流稳定增加。当达到所需的电流时，FET 被关闭，FET 上的 Ldi/dt 电压摆幅在 MOSFET 击穿电压之上，从而激活了其内在的寄生双极晶体管，并在 FET 上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行，电流逐渐增加，直到开始的泄漏测试失败，表明器件已被损坏。

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