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非易失性存储器MRAM与FRAM到底有什么区别

消耗积分:5 | 格式:pdf | 大小:0.07 MB | 2020-11-25

梅利号

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  “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能,可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM(磁性只读存储器)和 FRAM(铁电 RAM)都具有相似的性能优势:低电压运行,长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标,尽管在每种情况下,创新的材料技术都是性能突破的背后。由摩托罗拉和 IBM 率先开发的 MRAM,通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位,随着存储单元中电阻变化而存储。FRAM 由总部位于美国科罗拉多州科罗拉多斯普林斯的 Ramtron 开发,并已获得富士通,日立,德州仪器和东芝的许可,与 MRAM 显着不同:它在铁电材料中将位存储为固定电位(电压)。

 

  MRAM

  MRAM 或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的 1 晶体管–1 磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。由于 MRAM 使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏”的电荷),因此 MRAM 提供了相当长的数据保留时间(+20 年)和无限的耐用性。切换磁极化(写入周期)是在电磁隧道结(MTJ)上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果(见图 1)。电流脉冲产生的相关 H 场改变了铁磁材料自由层的极化,这种磁开关不需要原子或电子的位移,这意味着没有与 MRAM 相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了 MTJ 的阻抗(见图 2)。阻抗的这种变化表示数据的状态(“1”或“0”)。通过测量 MTJ 的阻抗来实现传感(读取周期)(图 3)。MRAM 器件中的读取周期是非破坏性的,并且相对较快(35ns)。读取操作是通过在 MTJ 两端施加非常低的电压来完成的,从而在部件寿命内支持无限的操作。
 

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