沈阳仪表院扩散硅压力敏感芯片技术参数

沈阳仪表科学研究院，是始建于1961年的国家级科研院所，目前隶属于国机集团。12年年底正式挂牌成立的国家传感器研究中心，是增强传感器产业核心竞争能力和发展为目标的研究开发实体研究院所，是国家传感器产业的重要组成部分。   我院是我国最早（1981年）从事硅基敏感芯片、研究、开发、生产的单位，是中国芯片，芯体制造技术策源地。我院始终以芯片研制为核心技术，拥有光刻、离子注入、膜片腐蚀等芯片制造技术，拥有全套芯片制造设备，并广泛运用于航天，航空，船舶等领域。  

扩散硅压力敏感芯片

HB2103系列敏感芯片 

 特点

闭合，半开，全开硅电阻电桥连接形式。

恒流激励，灵敏度温度自补偿功能。

反向PN结电隔离构造，玻璃绝缘衬片。

适用于表压，绝压，差压，负压测量。

覆盖100kPa~100MPa所有常用量程

技术指标  芯片尺寸（μm） 2050*2050，2450*2450，3340*3340； 工作温度：-45℃~+100℃（可定制特殊温度) 过载能力：2倍基准量程(＜10MPa);1.5倍基准量程（≥10MPa） 桥路电阻：5（1±20%）KΩ；4（1±20%）KΩ；3.3（1±20%）KΩ 满量程输出：≥60mV 线性度：±0.25%FS 零点温度影响：±0.1%FS/℃ 满量程温度影响：±0.1%FS/℃ 供电电源：恒流1mA、1.5mA或恒压5VDC  

责任编辑：xj

原文标题：沈阳仪表院扩散硅压力敏感芯片

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