NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流？

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威廉希尔官方网站 图：有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，连接方式如图1所示。

图1 “除草机”威廉希尔官方网站 图

如果此晶体管是硅(Si)，并显示0.6V，基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值非常高，使得Ib几乎为零。

图2 分析的第一步

对于NPN基本上为零的Ib，R1和R2的电压在NPN的基础上将+12V导通电压分压为+4V。这个地方很好理解；当Vbe为0.6V时，NPN发射极为+3.4V，在R3中流过的电流为3.4mA。  分析的难点是NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流？

图3 分析的第二步

PNP的Vbe=0.6V，如此使得R4中的电流为0.06mA。在PNP基极电流几乎为零的情况下，由于NPN的ß值非常高，0.06mA成为NPN的集电极(collector)电流，也变成NPN的发射极电流。   流过R5的电流必须是R3的3.4mA电流和NPN发射极的0.06 mA电流之间的差值。该值为3.4-0.06=3.34mA。

图4 分析的第三步

R5上的电压降为3.34V，当加到R3顶端的3.4V时，将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。   为了证明分析的结果，也为了有更加透彻的理解，我们用multisum仿真看一下，我分别在关键处并联了电压表和串联了电流表，但是实际看到是和上面的理论分析有差别的，这其实是万用表设置了内阻；   NPN三极管用的是PN2222，PNP用的是2N2904；

图5 仿真图

图6 仿真结果

（仿真元器件把万用表的内阻考虑进去了）

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