三星下半年开始向DDR5过渡 DDR5比上一代产品速度快一倍

据台湾媒体报道,  3月25日，三星电子宣布新一代内存芯片计划，访问速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而加速数据中心和超级计算机的转型。
 

作为全球最大内存芯片制造商，三星表示，512GB DDR5 内存模块将扩展其现有产品组合，采用 HKMG(High-K Metal Gate) 制程，DDR5 的内存速度将是目前 DDR4 的两倍，同时减少功率泄漏，并减少13%的功耗。
 

行业资料显示，与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。其它变化还有，电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。三星称，DDR5 速度高达7200Mb/s，共有40个DRAM 芯片，每个DRAM芯片拥有8层 16Gb DRAM，这些模块堆栈在一起，采用 TSV(Through-Silicon-Via, 硅穿孔) 技术。
 

TSV 于 2015 年首次在 DRAM 中使用，当时三星推出了容量高达 256GB 的服务器模块。三星预计，将在今年下半年开始向 DDR5 的过渡。
 

三星表示，除了与两家主要的 CPU 供货商英特尔及和 AMD(AMD-US) 合作，也向数据中心平台的开发者，发送了新内存的样品。
 

分析师估计，DDR5 芯片将比 DDR4 芯片大 20% 左右，这将加大半导体供应链的压力。三星打算今年开始出货，并逐步改进其制造工艺及定价。三星认为，预计 2023 年下半年，DDR5 将开始取代 DDR4。
 

TrendForce Research 副总裁 Avril Wu 表示，随着 DDR5 的渗透率逐渐提高，预计 DRAM 的短缺，将在 2022 年持续存在，价格可能较最初上涨 30-40%。


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