思睿达TT6889B+TT3013_60W SMPS工程样机测试与demo演示

描述

1、样机介绍

 

该报告是基于能够适用于宽输入电压范围,输出功率60W,恒压输出的电源适配器样机,PWM控制IC采用了思睿达公司的TT6889B,同步整流IC为TT3013。

 

TT6889B芯片特性

 

● SOT23-6 封装的副边PWM 反激功率开关;

● 内置软启动,减小MOSFET 的应力,斜坡补偿威廉希尔官方网站 ;

● 65kHz 开关频率,具有频率抖动功能,使其具有良好的EMI 特性;

● 具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP 自动恢复等保护功能;

● 威廉希尔官方网站 结构简单、较少的外围元器件,适用于小功率AC/DC 电源适配器、充电器。

 

TT3013芯片特性

 

● 外置MOS SOP-8 封装同步整流芯片,可工作于CCM、DCM 和QR 模式;

● 最高工作频率400KHz,精简外围威廉希尔官方网站 ;

● 较低的工作电流和较高的系统效率满足能效要求。

 

样机PCBA尺寸:107*45*28mm,是一款全电压实现12V5A输出的电源适配器。

 

90VAC满足启动时间的条件下AC264V样机待机功耗<64mW;全电压输入时平均效率>91.4%;输出接16AWG1.5米线能够满足“COC_T2” 能效标准。

 

样机具有良好的动态负载能力;同时具有“软启动、OCP、SCP、OVP、OTP自动恢复”等多种保护功能。

 

样机的变压器,采用了PQ2620磁芯(PC40材质),变压器绕制工艺部分,请见后文详细说明。

2、样机特性

 

以下表格为工程样机的主要特性。

 

2.1 输入特性:

芯片

2.2 输出特性(PCB END):

芯片

2.3 整机参数:

芯片

2.4 保护功能测试:

芯片

2.5 工作环境:

芯片

2.6 测试仪器:

芯片

3、样机结构信息

 

本小节展示了工程样机的威廉希尔官方网站 、版图结构,变压器结构及工艺。

 

3.1 威廉希尔官方网站 原理图及BOM:

 

3.1.1 原理图:

芯片

3.1.2 元器件清单:

芯片

3.1.3 PCB 布局&布线:

芯片PCB 顶层布局

芯片PCB 底层布局

PCB 底层布线

3.2 变压器绕制工艺:

 

3.2.1 威廉希尔官方网站 示意图:

芯片

3.2.2 规格参数:

 

1)骨架:PQ2620 磁芯(5+5PIN),Ae=119mm²;

2)材质:TDK PC40 或同等材质;3)初级、反馈: 2UEW 漆包线;次级: 三层绝缘线;

4)次级绕组从变压器顶端进出线,磁芯接地;

5)绝缘胶带:3M900 或同等材质;

6)初级绕组感量Lp:0.55mH±5%(测试条件:0.3V,10kHz);

7)漏感量LLK:要求控制在初级绕组的5%以内(测试条件:0.3 V,10kHz));

8)耐压测试= 3.3KV 5mA 1Min;

9)成品要求:浸凡立水;

 

3.2.3 变压器参数:

芯片

3.2.4 变压器结构图:

芯片

4、性能测评

 

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试,以下详解了测试方法及结果。从测试结果来看,以下各项测试均合格,能够满足大部分客户的要求。

 

4.1 输入特性:

 

本模板经过在不同的输入电压(从90V/60Hz 到264V/50Hz)和不同负载条件(空载和满载)下测试,得到待机功耗、效率及平均效率。

 

表1 待机功耗

芯片

表2 输出接1.5M 16AWG Cable100%负载下的输入特性

芯片

表3 效率测试(1.5M 16AWG Cable)

芯片

表4 效率测试(PCB END)

芯片

表5 能效等级评估(1.5M 16AWG Cable)

芯片

4.2 输出特性:

 

4.2.1 线性调整率和负载调整率: ( 1.5M 16AWG Cable )

芯片

芯片

4.2.2 输出电压纹波:

注:纹波及噪声在1.5M 16AWG 处测试,测试端并联0.1uF/50V 的瓷片电容和10uF/50V 电解电容,带宽限制为20MHz。

芯片

芯片R&N @ AC90V/60Hz,No Load

芯片R&N @ AC90V/60Hz,100% Load

 

芯片R&N @ AC264V/60Hz,No Load

 

芯片R&N @ AC264V/60Hz,100% Load

4.3 保护功能:

 

以下涉及过流保护、短路保护的测试。

 

4.3.1 过流保护:

芯片

4.3.2 短路保护:

 

功率计电流量程2.0A,开启平均值模式测量。

 

芯片

芯片115V/60HZ 过压保护VO=15V

芯片230V/50HZ 过压保护VO=15V

4.4 动态测试:

 

输出动态负载电流设置为5A 持续5ms/10ms,然后为0A 持续5ms/10ms 并持续循环,上升/下降设置为3A/us。(1.5M 16AWG Cable)

芯片

芯片AC90V 5ms

芯片AC90V 10ms

芯片AC264V 5ms

芯片AC264V 10ms

4.5 系统延时时间测试:

芯片

芯片TON_DELAY @ AC100V,100% Load

芯片TON_DELAY @ AC240V,100% Load

芯片THOLD_UP @ AC100V,100% Load

芯片THOLD_UP @ AC240V,100% Load

 

4.6 其它重要波形测试:

 

初级波形:MOS DRAIN(绿色)端、CS(蓝色)

 

芯片AC90/60Hz,100% Load

芯片AC115/60Hz,100% Load

芯片AC230/50Hz,100% Load

芯片AC264/50Hz,100% Load

芯片AC90/60Hz,100% Load

芯片AC115/60Hz,100% Load

芯片AC230/50Hz,100% Load

芯片AC264/50Hz,100% Load

 

5、温升测试

 

测试条件:带外壳在40℃环温下长时间带载5A 老化。

芯片

6、EMI 评估测试

 

测试条件:输入:AC115V-60HZ/230V-50Hz;输出负载200W 2.4Ω大功率电阻;限值标准参考:EN55013、EN55022B。(辐射测试结果仅供参考)

芯片AC115V/60Hz 传导L 相

芯片AC115V/60Hz 传导N 相

芯片AC230V/50Hz 传导L 相

芯片AC230V/50Hz 传导N 相

芯片AC115V/60Hz 辐射测试

芯片AC230V/50Hz 辐射测试

多种方案,欢迎随时交流沟通。思睿达联系人:何工 18923426660,E-mail:manjie@threeda.com,欢迎来电咨询,申请样品。感谢!

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