基于移动安全存储的密码SoC设计与实现

摘要： 针对目前移动存储设备大量的失泄密事件，提出了一种适用于移动安全存储设备的密码SoC设计方案，并在FPGA开发板上进行了验证。该SoC集成自主设计的安全协处理器，能够支持多种密码算法。介绍了NAND Flash控制器的设计方案，并在此基础上提出了高速存取技术。基于FPGA的测试结果表明，该SoC能够有效完成多种密码操作，具有较高的数据吞吐率。基于SMIC 0.18 μm工艺综合后的结果显示，工作频率能够达到100 MHz，面积约为250万门。

移动存储产品已广泛应用于各行各业，是不可或缺的信息交换载体，特别在日常办公系统中，以U盘、固态移动硬盘为代表的存储介质的使用日益普遍。而在实际应用中，移动存储设备易丢失、易损坏、易染病毒、不可控的特性也使数据安全无法得到充分保证。因遗失、暴力破解、主动泄密、木马攻击等方式导致的泄密事件也在逐渐上升［1］。

为了解决这一问题，国内外已经研制出多款相关安全产品，但是这些安全产品大多采用单一算法或固定的几种算法，其灵活性和安全性都不够高，无法满足不同设计的安全需求［2］。

针对现有安全SoC存在的问题，本文基于高性能嵌入式CPU构建并设计了一款密码SoC平台。该SoC平台采用自主设计的安全协处理器执行密码操作，经验证可适用于三类主要的密码算法［3］：对称密钥加密算法、散列算法和公开密钥加密算法。此外，设计了高性能NAND Flash控制器，支持外接多种类型的NAND Flash芯片（SLC、MLC 和TLC），最大支持容量为160 GB。本设计可应用于加密U盘、加密U盘KEY、加密移动硬盘、高速加密流转接器等设备中。

1 硬件设计

1.1 系统架构

本文提出的密码SoC架构如图1所示。其中集成了两种处理器核，分别是通用处理器（LEON2）和4个安全协处理器（Security ASIP），两者通过系统总线相连。所有涉及加解密的运算都被映射到安全协处理器中执行。DMA控制器负责把将要执行的加解密任务按照CPU的配置分配到各安全处理器中，CPU只承担控制和部分数据传输任务，绝大部分的运算由安全协处理器完成，CPU在大部分时间处于挂起（suspend）状态，直到有中断将其唤醒。

片上存储器主要包括EFlash/SRAM，用于存储操作系统引导程序、用户程序等；物理噪声源主要用于产生真随机数，生成密码运算时的消息密钥；两个USB-OTG 接口可根据应用需求设置成Host、Device 或OTG，支持多达6 个端点，可设置成多重复合设备，最大限度地满足用户的设计需求；

NAND Flash控制器负责产生符合NAND Flash接口操作规范的时序信号，带有ECC校验模块，每512 B可修正位数为1 bit或8 bit，支持外接8片NAND Flash。另外还包含有低速通信接口、定时器、中断控制器、存储保护单元、功耗管理单元等辅助模块，用于完成平台的其他功能。

1.2 安全协处理器结构

分析现有的安全存储设备［4］可以发现，在使用存储设备之前，必须对使用者进行身份验证；文件读写时，必须对数据进行加解密操作；为了保证数据的完整性，必须对数据进行完整性验证操作。所以，密码SoC必须能够灵活处理对称、公钥和杂凑三类算法，这个任务主要由安全协处理器完成。在进行安全协处理器的设计之前，必须对各类密码的执行特点进行分析。由专门的工具［5］分析可以得出各种密码算法的执行特点。

对各类密码算法的特点进行分析后，本文提出了如图2所示的安全协处理器架构。该安全协处理器基于传统的RISC处理器结构所设计，分为取指令（IF）级、译码（ID）级、执行（EXE）级/memory访存级和写回（write）级四级，能支持标准的RISC指令，并且还能执行一些专门设计的特殊指令。

在执行级，不仅有处理正常RISC标准指令的ALU单元，还有专用的硬件功能单元、PTLU（Parallel Table Look-Up）和MHU（Mul/Div unit&Hash Unit），用来对算法中比较耗时的运算（如查找表、模乘等操作）进行加速。为了加快安全协处理器的指令和数据的存取速度，在协处理器内部分别嵌入1 KB大小的指令RAM和数据RAM，用来存放协处理器的指令和数据。该协处理器指令集不仅包括标准的算术和逻辑运算指令，还包括专用的密码运算指令，如PTAES、 PTW、MOD_MUL等。

1.3 NAND Flash控制器设计

本文设计的NAND Flash控制器［7］结构如图3所示。NAND Flash控制器包含总线接口模块、DMA握手接口模块、控制状态机转换的主控逻辑模块，用以缓冲数据、收发命令和状态字的缓冲器（buffer）；提供ECC校验纠错功能的ECC模块和直接控制NAND Flash存储体的接口模块。

总线接口模块负责接收CPU发送的指令，将收发数据送至相应数据寄存器和指令寄存器，并将状态寄存器内容返回给CPU核；主控逻辑模块负责整个Flash控制器的控制工作，包含指令、状态、配置、数据、页交换使能、错误地址等寄存器，是控制器的核心。

ECC模块主要负责对存入NAND Flash中的数据进行纠错编码并对从NAND Flash中读出的数据进行纠错译码的工作。DMA握手接口模块在系统DMA参与数据传输的情况下，负责DMA与NAND Flash控制器之间的硬件握手功能。相比与直接由CPU核发送命令字给NAND Flash，然后直接从I/O 口读写数据的工作方式，通过DMA方式的传输效率明显要高。

特别在连续读取大批量数据的情况下，这种工作方式的优点能更好地体现出来。在实际产品应用中（如数码照片的存取），读写数据量一般都是页大小的上千倍，所以这样的设计有助于提高产品的实用性。

该NAND Flash控制器支持外接8片NAND Flash芯片。为了提高数据的读写速度，实现对并行数据读写的支持，控制器的数据线位宽设置为16 bit，可以支持对两片数据线位宽为8 bit的NAND Flash的并行读写操作；同时，本设计对控制器的结构进行了优化，使其能够支持对多片NAND Flash芯片的流水线读写操作。为了更好地支持SLC、MLC和TLC NAND Flash器件，还设计了基于汉明码的1 bit ECC纠错模块和可纠正8 bit随机错误的BCH编/译码器，用户可以根据需要选择相应的ECC操作。

2 高速存储技术

NAND Flash器件属于低速设备。以K9WBG08U1M为例，芯片的写入时间分为加载时间和编程时间两部分，写满一页所需的命令、地址和数据的加载时间约为102.5 ？滋s，最大编程时间约为700 μs。在写入过程中，因还要进行BCH编码等操作，也会消耗一些时间，所以设计中，使用最大的编程时间进行计算，而单片Flash其写入速度最高也只有5.1 MB/s，NAND Flash的读写速度也会成为系统性能的瓶颈。为了解决这个问题，可以采用如下技术。

2.1 数据并行处理技术

因Flash的数据位宽一般为8 bit，如果按传统的操作方法对Flash进行读写，即写完一片NAND Flash之后再写下一片，其最高的存储速度只有5.1 MB/s，无法适用于高速数据传输的要求。为此，本文设计的NAND Flash控制器将I/O数据线设为16 bit，主控制可以通过配置来选择数据线的位数。

当需要对数据进行并行处理时，将两片低速Flash芯片并联起来，使用相同的控制线、片选和读写信号线，组成一个多位宽的Flash组；两片Flash并行工作时，一片存储数据的高8 bit，一片存储数据的低8 bit，这样，存储容量和存储速度都是单片Flash的2倍。

2.2 流水线技术

流水线技术在计算机领域得到广泛运用，它是提高硬件资源利用率和执行效率的有效手段，该技术可以有效提高存储系统的性能。本文设计的NAND Flash控制器中只有一个读数据FIFO和一个写数据FIFO，大小均为4 KB。

当对一片NAND Flash进行操作时，在命令或数据加载完成后，该片NAND Flash会处于忙状态，此时读或写数据FIFO由于处于空闲或等待状态未被使用，因此控制器可以继续对处于空闲状态的NAND Flash进行操作，如此便形成流水线操作。还可以把两片NAND Flash作为一组进行数据并行处理，共4组进行流水线操作，以达到最大的数据吞吐率。其流水写操作时序如图4所示。

3 功能验证与性能分析

本文采用两块FPGA开发板完成SoC平台的验证，FPGA型号均为Xilinx Virtex5-xc5vlx85，两者之间通过自制的威廉希尔官方网站 板进行通信验证流程：首先通过JTAG接口向EFlash中下载一个boot-loader程序，用于SoC系统的启动和测试向量的下载；SoC系统的硬件驱动和安全协处理器程序通过UART接口下载到系统中；

PC端通过UART接口给出控制命令，选择NAND Flash控制器和安全协处理的工作模式；PC端通过USB接口对NAND Flash进行数据读写的测试。系统工作时钟为80 MHz，选择K9WBG08U1M作为实体NAND Flash器件对SoC进行测试。单片K9WBG08U1M的情况下，读速度可以达到19.3 MB/s，写速度可以达到9.6 MB/s；两片K9F1208UOB并行连接时，读速度可达37.5 MB/s，写速度可达18.4 MB/s。

安全协处理器性能、面积与参考文献中的设计比较结果如表2所示。

经过SMIC 0.18 μm工艺库的综合，整个平台的面积约为250万门，最高工作频率为100 MHz。

本文设计的面向大安全存储的密码SoC集成了多个高性能安全协处理器，极大地提高了系统的密码处理性能。设计的NAND Flash可支持外接多种类型（如SLC、MLC和TLC）的NAND Flash芯片，并且支持多片NAND Flash的并行读写和流水线读写操作，最大支持160 GB存储容量。基于FPGA的验证表明，其能够灵活支持多种密码算法的实现，具有较高的NAND Flash访问速度。

该设计可应用于加密U盘、加密U盘KEY、加密移动硬盘、高速加密流转接器等设备中。

参考文献

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［2］ 宁超。基于SOC存储控制器的研究与开发［D］。西安：电子科技大学，2008：50-53.

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［4］ 胡伟，慕德俊，刘航，等。移动硬盘硬件加密的设计与实现［J］。计算机工程与应用，2010，46（22）。

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编辑：jq