双向触发二极管,双向触发二极管原理是什么

双向触发二极管,双向触发二极管原理是什么

双向触发二极管亦称二端交流器件(DIAC)，与双向晶闸管同时间世．由于它结构简单、价格低廉，所以常用来触发双向晶闸管，还可构成过压保护等威廉希尔官方网站 。双向触发二极管的构造、符号及等效威廉希尔官方网站 如图1所示。

它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称，见图2。

当器件两端的电压V小于正向转折电压V(so)时，呈高阻态，当V>V（Bo）时进入负阻区。同样，当V超过反向转折电压V(BR)时，管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用△Ub表示

△Ub=Ubo-|Ubr|

一般要求△Ub<2U。双向触发二极管的耐压值(V)大致分3个等级：20—60V，100－150V，200－250V。常用来触发双向可控硅，在威廉希尔官方网站 中作过压保护等用途。在实际应用中，除根据威廉希尔官方网站 的要求选取适当的转折电压Ubo外，还应选择转折电流Ibo小、转折电压偏差△Ub小的双向触发二极管。

双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等威廉希尔官方网站 ，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护威廉希尔官方网站 。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。

双向触发二极管的检测

（1）正、反向电阻值的测量

用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0，则说明该二极管已击穿损坏。

（2）测量转折电压

测量双向触发二极管的转折电压有三种方法（如图3所示）：

1）将兆欧表的正极（E）和负极（L）分别接双向触发二极管的两端，用兆欧表提供击穿电压，同时用万用表的直流电压档测量出电压值，将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差（一般为3~6V）。此偏差值越小，说明此二极管的性能越好。

2）先用万用表测出市电电压U，然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后，接入市电电压，读出电压值U1，再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。

若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V，则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。

3）用0~50V连续可调直流电源，将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接，将电源的负极串接万用表电流档（将其置于1mA档）后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压，当电流表指针有较明显摆动时（几十微安以上），则说明此双向触发二极管已导通，此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。

双向触发二极管

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双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在威廉希尔官方网站 中作过压保护等用途。

图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效威廉希尔官方网站 ，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5）。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V（B0）时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V（BR）时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V（B）表示。△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V（BR）。例如：测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，则△V（B）=V（B0）-V（BR）=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。

图７是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光威廉希尔官方网站 。通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该威廉希尔官方网站 在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。