东芝推出采用薄型SO6L封装的两款光耦TLP5705H和TLP5702H

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件于今日开始支持批量出货。

TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲威廉希尔官方网站 进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘［1］，便于替代东芝现有产品［2］。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为威廉希尔官方网站 板组件布局提供更高的灵活性，并支持威廉希尔官方网站 板背面安装，或用于器件高度受限的新型威廉希尔官方网站 设计。

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（Ta＝-40℃至125℃），使其更容易设计和保持温度裕度。

此外，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H（LF4）与TLP5705H（LF4），采用SO6L（LF4）封装的引线成型选项。

应用

工业设备

工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性

高峰值输出电流额定值（@Ta＝-40℃至125℃）

IOP＝±2.5A（TLP5702H）

IOP＝±5.0A（TLP5705H）

薄型SO6L封装

高工作温度额定值：Topr（最大值）＝125℃

主要规格

（℃除非另有说明，@Ta＝-40℃至125）

编辑：jq