基于RCA清洗的湿式清洗工艺

在半导体制造过程中的每个过程之前和之后执行的清洁过程是最重要的过程之一，约占总过程的30%，基于RCA清洗的湿式清洗工艺对于有效地冲洗清洗化学物质以使它们不会在学位处理后残留在晶片表面上，以及诸如化学物质的过度使用、设备的巨大化和由于废水造成的环境污染的问题，以及防止诸如水斑的污染物被再次污染是重要的。

现有的以烘房公司为中心的旋转干燥方法存在问题，即在晶片表面留下水点，在晶片上传播应力，并导致由静电力引起的污染物的再污染，并且IPA蒸汽干燥方法被认为存在蒸汽不稳定和着火的风险。因此，在最近的湿法清洗工艺中，正在努力减少化学物质和超纯水的量，回收并开发新的清洗工艺，在干燥工艺中，正在引入使用超纯水和IPA分离层的marangoni干燥方法。在这项研究中，与传统的马兰戈尼方法不同，考虑了使用超纯水和异丙醇的混合溶液干燥矮星表面和去除污染颗粒。

超纯水和异丙醇混合溶液的浴槽是自制的，安装在100级空气的洁净室中，在单独的罐中进行预混合，以制备一定浓度的混合溶液，并保持混合溶液以3 LPM的流速恒定地注入浴中。还进行热N2吹气以促进晶片的干燥，为了观察通路器的干燥和清洁性能，在将p-型100裸硅晶片放入混合溶液浴之前和之后观察p-型100裸硅晶片，并且观察每一方的数量，并且使用KLA-腾科公司的surfScan 5500表面扫描仪。

随着异丙醇浓度的变化，观察到矮化表面污染颗粒的增加，当异丙醇添加量为低浓度和高浓度时，可以观察到良好的结果，并且将晶片从槽中取出到基座时的卸载速度并没有显著影响晶片表面上的污染颗粒的数量，但是它极大地影响了晶片底部水滴的形成，综上所述，这表明它与干颚密切相关。此外，发现即使通过重复使用超纯水和IPA混合溶液进行该过程，晶片表面上存在的颗粒数量也保持在一定水平而没有增加，根据干燥过程中吹来的热N2的温度变化，不同部件观察到的晶片表面温度不同，但没有特别的影响。

　　审核编辑：汤梓红