单片SPM系统的清洗技术

摘要

单片SPM系统使用了大量的化学物质，同时满足28nm以下的清洁规格。 本文描述了在集成系统Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系统和单晶片清洗，结果达到了技术规范，使用了不到单晶片系统中使用的80%的SPM化学物质。

介绍

采用干法和湿法相结合的方法开发了传统的有机光刻胶条工艺。 然而，基于反应性等离子体灰化的干燥处理也存在一些问题，如等离子体损伤、抗爆裂、不完全去除抗蚀剂，以及副产品再沉积，需要后续进行湿剥离/清洗。 为了避免等离子体问题，采用了以硫酸和过氧化氢水溶液(SPM在80℃-150℃)等酸性化学物质为基础的湿汽提工艺。

图1:Ultra C太浩清洗系统的简化装置

图2:使用超音波装置或氮气喷雾装置的单片清洗装置

图3:独立工作台、独立单晶片和Ultra-C Tahoe整体清洗性能对比

审核编辑：汤梓红