NP1208MR 12V p通道增强模式MOSFET

描述

NP1208MR采用了先进的沟槽技术

提供优良的RDS(ON)，低栅电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

一般特征

VDS = -12v, id = -8a

RDS(上)(Typ) = 14.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 20.3Ω@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23-3L
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

A.将设备安装在1in2上测量RθJA的值

FR-4板与2oz。铜，在静止的空气环境中与

TA = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。

B.功率损耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的结环境热阻。

C.重复额定值，脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责

 

审核编辑 黄昊宇