NP2305MR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP2305MR采用先进的战壕

技术提供优良的RDS(ON)，低栅

在极低电压的情况下进行充电和操作

1.8 v。该装置适用于负载开关

或在PWM应用中。

一般特征

VDS = -20v, id = -4a

RDS(上)(Typ) = 42 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 55 mΩ@VGS = -2.5 v

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOT-23-3L
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

注:

a.表面安装在FR4板上，t≤10秒

B.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%

C.设计保证，不经生产检验

热特性

审核编辑 黄昊宇