意法半导体简化SiC逆变器设计，发布两款电源模块

意法半导体发布了两款采用主流配置的内置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER电源模块。两款模块都采用意法半导体的ACEPACK 2 封装技术，功率密度高，安装简便。

第一款模块A2F12M12W2-F1是一个四组模块，可为 DC/DC 转换器等威廉希尔官方网站 提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。

第二款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。

这两款模块中的 MOSFET采用意法半导体的第二代 SiC 技术，RDS(on)x 芯片面积品质因数非常出色，确保开关可以处理高电流，把功率损耗降至很低。每款芯片的典型导通电阻RDS(on)都是13mΩ，全桥拓扑和T型拓扑两款模块均可用于设计高功率应用，而低热耗散确保应用能效出色，热管理设计简单。

ACEPACK 2封装尺寸紧凑，功率密度高，采用高效氧化铝基板和直接覆铜 (DBC)芯片贴装技术。外部连接是压接引脚，方便在潜在的恶劣环境中安装，例如，电动汽车(EV)及充电桩、储能和太阳能的功率转换等场景。该封装的绝缘耐压是2.5kVrms，内置一个NTC温度传感器，可用于系统保护诊断功能。

编辑：黄飞