本文确定了以下方面的关键参数注意事项:比较IGBT和MOSFET的具体性能SMPS(开关电源)应用。在这两种情况下都研究了开关损耗等参数硬开关和软开关ZVS(零电压切换)拓扑。三个主电源开关损耗:导通、导通和关断是相对于威廉希尔官方网站
和器件特性。二极管的影响硬交换拓扑的恢复性能也很重要讨论说明二极管恢复是主要的决定MOSFET或IGBT导通开关的因素损失。
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