模拟技术
NCS325SN2T1G型号元器件是提供精密性能的CMOS运算放大器,零漂移架构允许连续自动校准,提供非常低的偏移、随时间和温度的接近零漂移,以及仅在 35 mA(最大)静态电流时接近平坦的 1/f 噪声,这些优势使这个器件成为精密直流应用的理想选择,这种运算放大器提供轨到轨输入和输出性能,并针对低至 1.8 V 和高达 5.5 V 的低压运行进行了优化。
NCS325、NCS2325 和 NCS4325 都是提供精密性能的 CMOS 运算放大器,单通道 NCS325 采用节省空间的 SOT23-5 封装,双通道 NCS2325 可用于 Micro8、SOIC-8 和 DFN-8,四通道 NCS4325 在 SOIC-14 中可用。本文将为您详细介绍NCS325SN2T1G型号运算放大器的功能参数等产品信息:
规格参数
威廉希尔官方网站 图
引脚连接图
电流感应图
NCS325SN2T1G型号运算放大器具有轨到轨共模输入电压范围,输入和电源轨之间的二极管可防止输入电压超过电源轨,运算放大器具有不同程度的 EMI 敏感性。半导体结可以拾取和整流 EMI 信号,在输出端产生 EMI 引起的电压偏移,使总误差增加另一个分量,输入引脚对 EMI 最敏感。 NCS325、NCS2325 和 NCS4325 集成了一个低通滤波器,以降低其对 EMI 的敏感性。
低端电流检测的目标是检测过流条件或作为反馈控制方法,检测电阻与负载串联放置到地,通常,检测电阻的值小于 100 mW 以降低功率 电阻上的损耗, 运算放大器通过外部电阻器 R1、R2、R3 和 R4(其中 R1= R2,R3 = R4)再次设置检测电阻器上的电压降,高精度需要精密电阻,增益设置为利用 ADC 的满量程以获得最高分辨率。
为确保最佳器件性能,遵循良好的 PCB 设计实践非常重要,将 0.1 mF 去耦电容尽可能靠近电源引脚, 保持走线短,利用接地层,选择表面贴装元件,并将元件放置在尽可能靠近器件引脚的位置。这些技术将降低对电磁干扰的敏感性,热电效应可以在输入引脚上产生额外的温度相关偏移电压,为了减少这些影响,请使用热电系数低的金属,并防止热源或冷却风扇产生温度梯度。
以上就是NCS325SN2T1G型号运算放大器的产品介绍。
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