6种常用防反接威廉希尔官方网站 介绍

电源反接，会给威廉希尔官方网站 造成损坏，电源反接是不可避免的。所以我们就需要给威廉希尔官方网站 中加入保护威廉希尔官方网站 ，达到即使接反电源，也不会损坏的目的，下面介绍几种常用防反接威廉希尔官方网站 。

一、单二极管防反接威廉希尔官方网站

二极管防反接保护

通常情况下直流电源输入防反接保护威廉希尔官方网站 是运用二极管的单向导电性来完结防反接保护。这种接法简略可靠，但当输入大电流的情况下功耗影响是非常大的。以输入电流额定值达2A,二极管额定管压降为0.7V，那么功耗至少也要达到：Pd＝2A×0.7V＝1.4W，这样功率低，发热量大，要加散热器，不适合大电流供电威廉希尔官方网站 、电池供电威廉希尔官方网站 和低功耗威廉希尔官方网站 。

二、二极管和自恢复保险防反接威廉希尔官方网站

利用自恢复保险和二极管防反接保护

利用自恢复保险和二极管防反接保护，当电源接反造成短路，自恢复保险达到跳闸电流而断开，也可以保护后级威廉希尔官方网站 短路保护，此威廉希尔官方网站 也会有损耗在自恢复保险上，在设计时要根据电压电流大小选择自恢复保险。

三、全桥防反接威廉希尔官方网站

整流桥防反接保护

这个威廉希尔官方网站 适合交流和直流供电产品，可以直接接变压器或者开关电源，不用区分正负极。缺点是输入电流不能太大，太大会造成功率损耗，是单个二极管的一倍损耗。

四、NMOS防反接威廉希尔官方网站

NMOS管防反接保护

运用了MOS管的开关特性，控制威廉希尔官方网站 的导通和断开来规划防反接保护威廉希尔官方网站 ，由于功率MOS管的内阻很小，现在 MOSFET Rds现已可以做到毫欧级，对比现有选用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

极性反接保护将保护用场效应管与被保护威廉希尔官方网站 串联联接。保护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。若为PMOS，其栅极和源极分别联接被保护威廉希尔官方网站 的接地端和电源端，其漏极联接被保护威廉希尔官方网站 中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别联接被保护威廉希尔官方网站 的电源端和接地端，其漏极联接被保护威廉希尔官方网站 中NMOS元件的衬底。一旦被保护威廉希尔官方网站 的电源极性反接，保护用场效应管会构成断路，防止电流焚毁威廉希尔官方网站 中的场效应管元件，保护整体威廉希尔官方网站 。

N沟道MOS管经过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供应电压偏置，运用MOS管的开关特性控制威廉希尔官方网站 的导通和断开，然后防止电源反接给负载带来损坏。正接时，R1供应VGS电压，MOS导通。反接的时MOS不能导通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds根据不同管子，实践损耗很小，以20毫欧计算，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W根柢不必外加散热片。对比现有选用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。

五、NMOS防反接威廉希尔官方网站

当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于VGS门限电压，MOS管导通。

当电源接反时，体二极管不通，并且Vgs的电压也不会符合要求，所有NMOS管不通，威廉希尔官方网站 中没有电流回路，断路，负载不工作，也不会烧坏，实现了保护。

威廉希尔官方网站 需要注意，正常情况下Vgs不能大于NMOS管的Vgs最大耐压值，如果超过了可以在Vgs上面跨接一个稳压管防止烧坏。

六、PMOS防反接威廉希尔官方网站

PMOS防反接保护

当没反接时，通过PMOS管的体二极管到达S极，G极低电平PMOS管导通，体二极管被短接，电流都从DS流过，MOS管导通后DS间的内阻很小，产生的压降基本可忽略。

当反接时，G极是高电平，PMOS管不会导通，起到保护威廉希尔官方网站 的作用。

NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。

PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。

NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。

　　审核编辑：汤梓红