罗姆将量产下一代碳化硅功率半导体

      日本媒体报道称日本罗姆（ROHM）12月将开始量产下一代功率半导体。原材料是碳化硅（SiC），罗姆花费约20年推进了研发。据称，罗姆在福冈县筑后市工厂的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产。

　　碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅较宽的禁带宽度保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。下一代碳化硅功率半导体可提高用电效率，比如在电动汽车（EV）上，续航里程可提升一成。

　　碳化硅（SiC）被很多厂商看好，比如东芝，比如国内的基本半导体等。

　　综合：共同社 快科技