如何用等效密度NV SRAM模块替换DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命，可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品，客户将安装完整的一体式内存解决方案。

介绍

DS1213 SmartSocket产品已达到使用寿命，可使用引脚兼容、等效密度的5V NV SRAM模块产品进行更换。使用该替换模块产品，客户将安装完整的一体式内存解决方案，保证提供至少 10 年的数据保留寿命。更换产品可轻松将基于智能插座的等效配置的使用寿命延长一倍。

更换决定

随着任何密度的PDIP SRAM产量的减少，寻找兼容存储芯片的采购问题可能会加速确定替代产品的决定。DS12xx系列NV SRAM模块包括一个非常低功耗的SRAM元件，消除了过去的双元件采购要求。这些模块的“AB”版本允许±5%的工作电源容差，与之前配备DS1213的安装的电气特性相匹配。

在现有应用中，DS1213智能插座和某些版本的客户采购SRAM提供非易失性存储器阵列，用于在没有外部电源的情况下存储数据。SRAM规范将是一个很好的参考，用于确定两个更换标准，这两个标准将决定购买哪种速度等级的模块：存储器密度和基于存储器性能的信息。

客户应首先研究当前安装的内存配置，然后参阅表1以获取适当的更换组件。

从SRAM标记和/或规格中，应该有一些关于该存储器的功能读取访问时间的指示。此参数通常由零件号的数字扩展名指定;它注释了可以从组件中读取数据的最长时间（以纳秒为单位）（例如：-55、-70、-100、-120 等）。一些制造商会截断其品牌信息上的速度等级信息，因此电气规格将是最全面的参考文档。

DS1213智能插座出厂时设置为5V±5%的电源容差，写保护低于4.75V。DS12xx系列NV SRAM模块的等效电源容差具有AB后缀，如表1所示。在一些罕见的应用中，DS1213智能插座可能经过修改，使用5V±10%容差。在这些应用中，更换的部件号与DS12xx器件号相同，后缀为“AD”。

DS1213智能插座的额定工作温度范围为0°C至+70°C，与DS12xx系列商用温度产品相当。如果需要工业温度范围（-40°C至+85°C），则指定为“IND”的模块产品也可用于任何NV SRAM存储器密度。请参阅该特定模块产品的订购信息。

DS1213智能插座采用锡铅（SnPb 63/37）焊料制造，用于连接内部元件。如果需要，无铅（100% 雾锡）模块产品（由加号 （+） 表示）也可用于任何内存密度。请参阅该特定模块产品的订购信息。

由于内置电池，DS1213智能插座和列出的DS12xx系列NV SRAM模块都不能容忍对流回流焊接。建议使用波峰焊或手工焊接。

DS1213B与16kb SRAM的考虑

DS1213B SmartSocket有28个引脚，但DS1220存储器元件只有24个引脚。需要对PCB进行修改：跳线V抄送从迹线 28 向下到迹线 26;并隔离跟踪 26。然后，通过将新元件对齐到插座的底部（接地）端来安装DS1220模块。从主板上卸下智能插座后，执行必要的主板修改。然后将DS1220AB安装到底部（接地）端，就像SRAM先前放置在插座中一样。DS1220AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关的PCB走线对齐，如图1所示。

与 SmartSocket 引脚 1、2、27 和 28 对齐的原始 PCB 走线将未使用。

除了修改威廉希尔官方网站 板外，还有另一种选择：安装DS1225AB存储器模块。系统将仅使用四分之一的内存阵列，但更改不那么复杂。

图1.在 28 引脚焊盘图案上放置 24 引脚模块。（未按比例绘制。

DS1213D与256kb SRAM的考虑因素

DS1213D SmartSocket有32个引脚，但DS1230存储器元件只有28个引脚。需要对PCB进行修改：跳线V抄送从迹线 32 向下到迹线 30;并隔离跟踪 30。然后，通过将新元件对齐到插座的底端（地）端来安装DS1230模块。从主板上卸下智能插座后，执行必要的主板修改。然后将DS1230AB安装到底部（接地）端，就像SRAM先前放置在插座中一样。DS1230AB元件引脚1应与先前与SmartSocket引脚3相关的PCB走线对齐，如图2所示。

与 SmartSocket 引脚 1、2、31 和 32 对齐的原始 PCB 走线将未使用。

除了这种威廉希尔官方网站 板修改之外，还有另一种选择：安装DS1245AB存储器模块。系统将仅使用四分之一的内存阵列，但更改不那么复杂。

图2.在 32 引脚焊盘图案上放置 28 引脚模块。（未按比例绘制。

审核编辑：郭婷