内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC BD9G341AEFJ介绍

ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是最高耐压的机型。高耐压的DC/DC转换器在以电信相关和工业设备为首的应用中、最近在使用电池组的应用中使用量增加，因此其需求日益高涨。 然而，现状是可供应具有60V以上耐压的DC/DC转换器用IC的制造商有限，而且种类也并不是很多。

BD9G341AEFJ以下面4点为关键词开发而成。

1．实现业界最高级别的80V高耐压
80V高耐压是采用ROHM拥有的业界最先进的电源系统工艺0.6µm高耐压BiCDMOS而实现的。对于通信基站、电信设备及FA设备等48V系输入电压的突发浪涌等，具有很大余量，因此，在电源条件苛刻、要求高可用性的应用中可确保高可靠性。

2．在80V级的DC/DC转换器中，实现业界最高效率
一般高耐压DC/DC转换器，因其元件特性及无法避免的高降压比条件，而比低电压DC/DC转换器效率差。BD9G341AEFJ与现有的类似IC比较时，可实现最大19%、稳定状态下1.5%的效率改善。（均以振荡频率300kHz、输入电压48V、输出电压5V的条件确认）

3．通过防止破坏、提高安全性的保护功能，使设备的可靠性更高
输出短路保护搭载ROHM独有的打嗝（hicuup）模式。现有的类似品一旦发生输出短路，虽然保护功能会工作，但成为过热状态，最终导致破坏的产品不在少数。BD9G341AEFJ中搭载的保护功能，周期性进行关断与恢复，抑制发热的同时当故障排除时自动恢复。通过这些保护功能，可防止电源破坏，并提高应用的可靠性。

4．通过小型封装与消减外置元器件，更节省空间并使设计简化
内置80V高耐压MOSFET，并集成保护功能和以往外置的元器件，实现简单的小型8引脚HTSOP-J8（4.9 x 6.0 x 1.0mm）封装产品供应。与类似品的比较中，类似品需要17个外置元器件，而BD9G341AEFJ仅需12个。这样可消减安装面积，并使设计和评估更简单。尤其是内置MOSFET使MOSFET选型和评估作业显著减少，这一点对设计人员来说是相当大的优点。

BD9G341AEFJ:实现业界顶级的80V高耐压与高效率的DC/DC转换器

重点必看

内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器

重点必看

80V耐压DC/DC转换器IC的定位与市场

审核编辑 黄宇