IGBT/功率器件
IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。
IGBT功率模块是一种集成了IGBT和驱动威廉希尔官方网站 的半导体功率模块,它可以将低压电源转换为高压电源,并可以控制电流的大小和方向。IGBT功率模块可以用于电源转换器、UPS电源、变频器、逆变器等应用中。
IGBT功率模块是指采用lC驱动,利用最新的封装技术将IGBT与驱动威廉希尔官方网站 、控制威廉希尔官方网站 和保护威廉希尔官方网站 高度集成在一起的模块。其类别从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM.
IGBT功率模块的驱动威廉希尔官方网站 元件较少,在短路故障时只要结温不超过安全工作范围,驱动威廉希尔官方网站 仍可以继续安全工作。IGBT在大电流时具有退饱和特性,可以在一定程度上保护器件过流,其它的电力电子开关器件则都不具备这种特性。总之,IGBT功率模块具有驱动简单、过压过流保护实现容易、开关频率高以及不需要缓冲威廉希尔官方网站 等特性,非常适合应用在中压驱动领域。常见的IGBT功率模块的额定电压等级有600V、1200V、1700V、2500V、3300V和4500V,额定电流则可以达到2400A。虽然有更高电压等级的IGBT器件,但其电流等级却大为下降。例如,额定电压为6500V的IGBT器件的额定电流仅为650A。额定功率最大的IGBT电压电流参数为3600V/1700A和4500V/1200A。
各中类别型号的IGBT功率模块已经运用到各中电子元件中,IPM除用于变频调速外,60OA/2000V的IPM已用于电力机车VWVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低威廉希尔官方网站 接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化的模块也成为IGBT发展热点。
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