IGBT的优缺点

IGBT/功率器件

40人已加入

描述

所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

MOSFET

简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。

IGBT的优缺点

既然IGBT作为一个兼有BJT和MOS管的整体,所以往往它的优缺点其实也非常明显,下面我给大家罗列一下IGBT常见的优缺点。

优点:

1、具有更高的电压和电流处理能力。

2、极高的输入阻抗。

3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。

4、电压控制装置,即它没有输入电流和低输入损耗。

5、栅极驱动威廉希尔官方网站 简单且便宜,降低了栅极驱动的要求

6、通过施加正电压可以很容易地打开它,通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。

7、具有非常低的导通电阻。

8、具有高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。

9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。

10、具有比 BJT 更高的开关速度。

11、可以使用低控制电压切换高电流电平。

12、双极性质,增强了传导性。

13、安全可靠。

缺点:

1、开关速度低于 MOS管。

2、因为是单向的,在没有附加威廉希尔官方网站 的情况下无法处理AC波形。

3、不能阻挡更高的反向电压。

4、比 BJT 和 MOS管价格更高。

5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分