IGBT/功率器件
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。
简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。
IGBT的优缺点
既然IGBT作为一个兼有BJT和MOS管的整体,所以往往它的优缺点其实也非常明显,下面我给大家罗列一下IGBT常见的优缺点。
优点:
1、具有更高的电压和电流处理能力。
2、极高的输入阻抗。
3、可以使用非常低的电压切换非常高的电流。
4、电压控制装置,即它没有输入电流和低输入损耗。
5、栅极驱动威廉希尔官方网站 简单且便宜,降低了栅极驱动的要求
6、通过施加正电压可以很容易地打开它,通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。
7、具有非常低的导通电阻。
8、具有高电流密度,使其能够具有更小的芯片尺寸。
9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。
10、具有比 BJT 更高的开关速度。
11、可以使用低控制电压切换高电流电平。
12、双极性质,增强了传导性。
13、安全可靠。
缺点:
1、开关速度低于 MOS管。
2、因为是单向的,在没有附加威廉希尔官方网站 的情况下无法处理AC波形。
3、不能阻挡更高的反向电压。
4、比 BJT 和 MOS管价格更高。
5、类似于晶闸管的P-N-P-N结构,因此它存在锁存问题。
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