东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率

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中国上海,202339——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)威廉希尔官方网站 [1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。
 
东芝
 
功率半导体器件经过业界验证,对于节能工作意义重大,其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中,例如变频器在空调中的应用越来越普遍,以及工业设备的大型电源需要降低功耗,因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于PFC威廉希尔官方网站 中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
 
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低开关损耗(关断损耗),与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。此外,新款IGBT还包含一个内置的二极管,其正向电压为1.2V(典型值)[5],比GT50JR22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。
 
对于使用东芝当前产品GT50JR22的空调PFC威廉希尔官方网站 ,其工作频率低于40kHz[6]。而GT30J65MRB是东芝首款用于60kHz[6]以下PFC的IGBT,其可通过降低开关损耗(关断损耗)来确保更高的工作频率。
 
东芝将继续扩大产品线,以充分适应市场趋势,并不断提高设备效率。
 

东芝
图1 关断损耗Eoff

 

东芝
图2 效率与壳温

 

应用:

-      家用电器(空调等)
-      工业设备(工厂自动化设备、多功能打印机等)
 

特性:

-     行业领先[2]的低开关损耗(关断损耗):由最新工艺实现的Eoff=0.35mJ[3](典型值)
-     采用反向导通(RC)结构的内置续流二极管(FWD)
-     快速开关时间(下降时间):tf=40ns(典型值)(TC=25℃、IC=15A、RG=56Ω)
-     低二极管正向电压:VF=1.2V(典型值)(TC=25℃、IF=15A、VGE=0V)
 

主要规格:

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号 GT30J65MRB
封装 TO-3P(N)
绝对最大
额定值
集电极-发射极电压VCES(V) 650
集电极电流(DC)IC(A) TC=25℃ 60
TC=100℃ 30
结温Tj(℃) 175
集电极-发射极饱和电压
VCE(sat)典型值(V)
IC=30A、VGE=15V、TC=25℃ 1.40
开关时间(下降时间)tf典型值(ns) 电感负载、
VCE=400V、IC=15A、
VGE=15V、RG=56Ω、TC=25℃
40
开关损耗(关断损耗)
Eoff典型值(mJ)
电感负载、
VCE=400V、IC=15A、
VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃
0.35
二极管正向电压VF典型值(V) IF=15A、VGE=0V、TC=25℃ 1.20
结壳热阻Rth(j-c)最大值(℃/W) 0.75
库存查询与购买 在线购买

 
注:
[1] 功率因数校正(PFC)威廉希尔官方网站 :该威廉希尔官方网站 可减小电压和电流之间的相位差,使功率因数接近于1,以抑制开关电源中产生的谐波分量。
[2] 根据东芝截至2023年3月的调研。
[3] 测试条件:电感负载、VCE=400V、IC=15A、VGE=15V、RG=56Ω、TC=175℃
[4] 截至2023年3月,东芝测量值(测试条件:VCC=400V、IC=15A、VGG=+15V/0、RG=56Ω、TC=175℃)。
[5] 测试条件:IF=15A、VGE=0V、TC=25℃
[6] 截至2023年3月,由东芝使用其PFC评估板测试得到的测量值。
 
如需了解新产品的更多信息,请访问以下网址:
GT30J65MRB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.GT30J65MRB.html
 
如需了解相关东芝IGBT的更多信息,请访问以下网址:
IGBT
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/igbts-iegts/igbts.html
 
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GT30J65MRB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.GT30J65MRB.html
 
 
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