U7712同步整流芯片超低静态电流

U7712同步整流芯片超低静态电流                        

U7712同步整流芯片典型输出5v3A，是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。<300uA 超低静态电流，内置40V功率MOSFET，性能优越，表现卓越！

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7.1V 稳压器：在原边MOSFET导通期间，U7712同步整流芯片内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。

02              

系统启动：系统开机以后，U7712同步整流芯片内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。

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开通阶段：初始阶段同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压 (<-500mV)。该负向Vds电压远小于U7712同步整流芯片内部MOSFET开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约 200ns）后内部MOSFET开通。

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关断阶段：在同步整流MOSFET导通期间，U7712同步整流芯片采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约 60ns）后被关断。

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前沿消隐 (LEB)：在内部同步整流MOSFET开通瞬间，U7712同步整流芯片漏-源(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐威廉希尔官方网站 (LEB)。在LEB时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

U7712同步整流芯片支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。U7712集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。U7712内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。

   




审核编辑：刘清