EUV光源四种产生方式及对比分析

中国科学院大学集成威廉希尔官方网站 学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成威廉希尔官方网站 学院开设了《集成威廉希尔官方网站 先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。在授课过程中，除教师系统地讲授外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。

　　随着光刻技术的进步，光刻光源的曝光波长已经减小很多。早期投影式光刻技术的曝光波长为436nm、365nm （分别来自于汞弧灯可见光g线和紫外光i线），所制造的集成威廉希尔官方网站 特征尺寸为600nm或更大。从1995年以后，工业。上采用深紫外波段的248nm KrF激光器或193nm ArF激光器作为光刻用曝光光源。

　　随后通过改进的193nm浸没式***获得了65nm-45nm刻线，目前最高水平的光刻技术是193nm的浸没式光刻和双重图形成像技术的结合，可以实现32nm节点的制造。而极紫外光刻技术（EUVL）采用中心波长为13.5nm（2%带宽）的极紫外光作为曝光光源，被认为是实现32nm节点甚至更低节点首选的光刻的技术。

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

编辑：黄飞