MCU内部DataFlash的特点原理揭秘

本文讲解MCU内部DataFlash的特点原理，以及其模拟EEPROM使用的方法和算法，如果方便，推荐观看下面的视频。 现在市面上的MCU，一般都会带一个DataFlash空间，用于存储用户数据（区别于CodeFlash）。

DataFlash有两个基础概念，Sector和Page：

其中Sector是最小擦除单位，而Page是最小写单位。

至于这个Sector和Page到底是多大，不同厂家的MCU定义不同

其他DataFlash的擦写行为是这样的

那么，怎么知道一块区间到底写过数据没有呢？

我见过两种情况：

1. 直接读取数据，判断为FF就认为擦除过了

2. 有些芯片在读取擦除区间的数据是不可靠的，要特殊途径判断

软件上为了统一，AUTOSAR定义了一个BlankCheck的函数

好奇的你，也许会问，一个擦除单位那么大，使用很不方便，效率也不高，有没有办法让DataFlash像EEPROM那样使用？

这个就是磨损均衡算法了。可以参考《AUTOSAR中的Fee》

Fee好像很厉害的样子，能否想个办法研究下它的行为。

当然，可以用PC的File操作方式模拟Fls的API接口，然后再怎么折腾都行。

编辑：黄飞