浅谈Latch-up（二）

二.Latch-up测试流程。

目前通用的Latch-up测试标准是 JESD78E 。该标准中将Latch-up测试分为两种： 1.电流测试 I-test ，用于测试非电源管脚；2.电压测试 V-test 用于测试电源管脚。其中I-test又有正向注入/负向抽取两种，正向注入电流会使得端口电压升高，负向抽取电流会使得端口电压降低。

表一.测试闩锁效应的分类。（图源《CMOS集成威廉希尔官方网站 闩锁效应》）

表一为Latch-up的测试条件，其中MSV表示（Maximum Stress Voltage）最大允许工作电压。

2.1 V-test的测试流程

1. 对所有的输出引脚悬空，输入引脚置于高电平偏置，测量VDD到GND的漏电流In。
2. 对待测管脚施加V-test源。
3. 去除触发源后将被测管脚复原，测量漏电流Isupply，进行失效判断。（如果In<25mA,失效标准为In+25mA，如果In>25mA,失效标准为>1.4*In）
4. 如果没有发生Latch-up，将所有输入管脚，都置于低电平偏置，重复实验。
5. 重复2,3，直到每个电源Vsupply管脚（或管脚组合）都通过测试。

图一.V-test激励波形。

V-test测试模拟的是电源浪涌是否会造成PN结击穿，形成雪崩击穿电流，从而造成寄生SCR的开启。

2.2 I-test的测试流程

1. 不接受测试的输出管脚悬空。对于输入管脚，偏置于最大逻辑高电平。电源管脚置于最大工作电压。
2. 测量VDD到GND的漏电流In。
3. 对待测管脚施加I-test源。
4. 去除触发源后，将被测管脚恢复到施加触发源之前的状态，并测量每个电源管脚的漏电流Isupply，进行失效判断。（如果In<25mA,失效标准为In+25mA，如果In>25mA,失效标准为>1.4*In）
5. 如果没有发生Latch-up，对所有待测管脚，重复实验。
6. 将非待测管脚置于悬空态。将输入管脚置于最小逻辑低电平。电源管脚置于最大工作电压。重复上述实验。

图二.I-test正向激励波形。

图三.I-test负向激励波形。

I-test测试模拟浪涌电压出现在非电源管脚，浪涌电压高于VDD或低于GND。该威廉希尔官方网站 中寄生SCR能否开启。

2.3 无源器件相连的特殊管脚

这类管脚都只进行I-test，具体情况请参照《CMOS集成威廉希尔官方网站 闩锁效应》。

2.4 特殊功能管脚

某些芯片会具有特殊的功能管脚，例如LDO，PWM，BOOT，PHASE，HB，VCC等，这些芯片的管脚能为其他芯片或器件提供偏置。而针对这类管脚，使用I-test还是V-test需要根据情况确定。

2.5 多电压域芯片

BCD工艺或者BiCMOS工艺能实现高压-低压多工作电压芯片，而这种芯片因为工作电压不同，V-test激励值不能统一按1.5*Vmax算。

图四.多电压域Latch-up测试。（实例取自德仪Latch-up白皮书）

如图所示，该芯片存在5V，12V，60V多个VDD。针对该芯片的V-test需要不同的激励， VDD 5V需要1.5Vmax或MSV；VDD 12V需要1.2Vmax或MSV；VDD 60V需要1.1Vmax或MSV 。

三.Latch-up防护设计。

Latch-up防护的核心就是预防威廉希尔官方网站 中寄生SCR的开启。而围绕这一目标具体有两个实现方向：

一.减少阱电阻Rn和Rp，降低寄生三极管的基级电压。

具体的版图设计规则：

1.减少Bulk与Soure/Drain端的间距，减少N-WeLL/P-WeLL的阱电阻。

增大阱接触区的面积和接触孔数量，因为阱接触区是高掺杂浓度的有源区，能大幅度改善阱电流分布，降低阱电阻。

2.使用环状阱接触有源区。环状设计能确保有源区与接触孔分布均匀，避免电流集中流向某一区域造成的局部电压过高。

二.减少βn和βp，降低寄生三极管的放大倍数，削弱寄生三极管的正反馈耦合作用。

具体的版图设计规则：

1.增大NMOS/PMOS有源区与N-WeLL/P-WeLL的距离。通过增加间距，拉宽寄生三极管的基区宽度，减小其放大倍数。

2.增加额外保护环。保护环能为寄生三极管增加额外的集电极/射电极，而新添加的寄生三极管，(NPN:NMOS_Drain/P_Sub/N_Guard)与(PNP:PMOS_Drain/N_WeLL/P_Guard)更易触发，且不存在相互耦合作用。换句话说起到了对外部注入载流子的收集作用。

图五.CMOS保护环示意图。

3.IO威廉希尔官方网站 与核心威廉希尔官方网站 的隔离，IO威廉希尔官方网站 所承受的风险远高于内部威廉希尔官方网站 。所以IO单元最好与内部威廉希尔官方网站 间隔一段距离，确保ESD/Latch-up/EOS等不会引起内部核心威廉希尔官方网站 的损坏。

其实Latch-up的防护相对于ESD来说较为简单， 只要版图工程师注意间距与保护环的问题，绝大多数Latch-up失效都能避免（目前大部分工艺都已经把latch-up rule 写入 DRC中，只要按图索骥即可） 。但是模拟IC要面临的Latch-up的情况更加复杂，所以这里介绍些 非常规设计方案 。

1.利用工艺优势，Epi（外延层工艺）；DTI（深槽隔离）；SOI（绝缘体上硅）；NBL埋层，这些工艺都能有效改善Latch-up问题。

2.利用Deep N-WeLL 进行隔离，深N阱的隔离作用更加有效，也能有效缓解Latch-up。

3.浮阱设计（一种特殊设计，会造成阈值电压和漏电流浮动，主要应用在ESD与Latch-up，以后会讲案例）

4.输出级在端口挂载电阻，I-test时能分担部分压降，但是会降低输出级的负载能力。