模拟技术
三 FET的分类
FET的分类如下:
FET | 结型FET(JFET) | 耗尽型 | N沟道 |
---|---|---|---|
P沟道 | |||
绝缘栅极FET(MOSFET) | 耗尽型 | N沟道 | |
P沟道 | |||
增强型 | N沟道 | ||
P沟道 |
下图是N型FET的结构图,左边是JFET,右边是MOSFET。电流流过漏极和源极之间的部分称为沟道。JFET的栅极和沟道之间有等效二极管(PN结),所以称为结型FET。
P型FET是上图中P型半导体和N型半导体互换。
JFET工作时,栅极和沟道间的二极管处于截止状态,几乎没有电流流过栅极。
MOSFET的栅极和沟道之间有绝缘膜,电流更小。
以上一节的FET基本放大威廉希尔官方网站 为例,BJT的基极-发射极之间的二极管工作在导通状态。而JFET的栅极-源极间的二极管工作在截止状态(d点电压大于c点电压)。因此FET的栅极-沟道间流过的电流很小,只相当于二极管的反向漏电流,所以JFET本身的输入阻抗比BJT高的多。
MOSFET的栅极由金属构成,它与半导体沟道之间有一层绝缘膜,形成三层结构。它的特点就是栅极与沟道间有绝缘膜,流过栅极的电流比JFET还要小很多,因此输入阻抗也比JFET高的多。
四 FET的威廉希尔官方网站 符号
BJT中的箭头符号表示电流流动方向。FET中的箭头不代表电流流动方向,只表示极性(即PN节的极性)。
JFET的漏极和源极在大多数情况下是没有区别的,即使调换它们的极性,也能正常工作。JFET的源极和漏极之间没有PN结,有的是同一导电类型的半导体(N沟道是N型,P沟道是P型)。不过在高频应用领域,JFET的源极和漏极的物理形状不同,当两个FET串联连接时,漏极和源极有区别,不能调换。
MOSFET的漏极和源极,结构不同,威廉希尔官方网站 符号也不同。在应用时,不能将漏极和源极调换工作。
五 JFET的传输特性
FET是通过栅极上所加电压控制漏极-源极间电流的电压控制器件。其中一个描述FET特性的参数叫做传输特性曲线。它表示漏极电流Id和栅极-源极间电压Vgs 的关系。
下图是安森美的N通道 JFET 2N5457的spec。
当Vgs=0V时,JFET的漏极电流Id最大,称为漏极饱和电流Idss。通常的JFET的Idss在1mA~十几mA之间。它代表着漏极和源极之间可以流过的最大电流,超过此电流,JFET会被烧毁。下图的Idss大约在1.1mA左右。当Vgs从0V向X轴负方向移动,即Vs>Vg时,Id会减小。最终当Vgs=-1.2V时,Id变为0。此时的Vgs称为夹断电压Vp。当Vgs越过Vp,继续向负方向移动时,此JFET处于截止状态。
P沟道JFET的特性和N沟通相反。如下是安森美 P沟道JFET 2N5460的传输特性曲线。无论是N沟道的JEFT,还是P沟道的JFET,都是 Vgs为0时,Id电流最大。
六 JFET放大倍数 跨导gm
BJT是以流过基极的电流Ib去控制集电极电流Ic,因此Ic与Ib的比值就是直流放大系数hFE。对于FET,是通过改变Vgs去控制Id。它们的比值称为跨导gm,它的单位是西门子[S]。下图中曲线的斜率相当于gm。gm意味着当输入电压Vgs变化时,输出电流Id的变化幅度,可以认为是器件本身的电流对电压的增益。在FET放大威廉希尔官方网站 中,gm越大,则威廉希尔官方网站 的增益越大,具有能够减小输出阻抗的优点。缺点则是gm大的FET,输入电容大,导致高频特性差。还有就是流过栅极的漏电流大(输入阻抗低)。
七 实际JFET器件的跨导
实际JFET的Idss具有很大的分散性,这也意味着Id=0时,夹断电压Vp不同。以2N5457的spec为例,在它的spec中,有三组曲线表示不同的夹断电压Vp。或者说当希望流过Id的电流是1mA时,同一型号不同颗的2N5457需要的Vgs电压不同。
实际设计威廉希尔官方网站 时,从JFET spec的传输特性曲线中,先找到需要的Idss,由此确定Vgs值。
八 MOSFET的传输特性
MOSFET分为耗尽型和增强型。
耗尽型: 下图是N沟道耗尽型MOSFET的传输特征曲线。耗尽型MOSFET由于在Vgs=0V时,仍旧有电流Id流过(也被称为常开器件)。即使Vgs越过0V,Id也还会继续增加。所以很难应用在开关威廉希尔官方网站 和功率放大威廉希尔官方网站 。不过可以用在高频放大威廉希尔官方网站 ,构成偏置威廉希尔官方网站 。P沟道耗尽型MOSFET的型号没找到(可能使用场景少,网上没找到具体的型号)。
增强型: 下图是增强型MOSFET的传输特征曲线。它的Vgs=0V时,Id是零(也被称为常关器件)。换句话说,增强特性是指当Vgs不在正的电压范围时就没有Id流过(P沟道时Vgs的极性相反)。
把Vgs看成Vbe,就可以采用与晶体管相同的偏置方法,使增强型MOSFET与BJT在威廉希尔官方网站 中互换。目前在开关威廉希尔官方网站 、调节器、电机驱动、功率放大威廉希尔官方网站 中使用的额都是增强型MOSFET。
MOSFET的跨导gm与JEFT的一样,是△Vgs与△Id的比值,即传输曲线函数的斜率。
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