９.１.１内部电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
９.１.１ 内部电流
９.１ 双极结型晶体管（BJT）
第９章 双极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- 电流
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1084
-
7.3.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-14 1150
-
6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 845
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1277
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 886
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1180
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1181
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 1000
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1670
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 837
-
8.1.4 比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-20 1098
-
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1271
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1115
-
6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1152
-
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-21 788
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
