登录
12.2 高温集成威廉希尔官方网站 ∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
深圳市致知行科技有限公司
2022-04-28
576
我要咨询
深圳市致知行科技有限公司
364 内容
31w+阅读
54粉丝
+关注
描述
12.2 高温集成威廉希尔官方网站
第12章 专用碳化硅器件及应用
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
打开APP阅读更多精彩内容
点击阅读全文
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
集成威廉希尔官方网站
6.3.7 迁移率限制因素∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-21
1107
6.2.3 湿法腐蚀∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
867
6.5 总结∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-27
1296
6.3.1 氧化速率∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
902
6.3.2 氧
化硅
的介电性能∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-04
1197
6.4.1.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
1205
6.1.1 选择性掺杂
技术
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
1025
6.4.2.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
1694
6.1.5
高温
退火和表面粗糙化∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2021-12-31
851
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2021-12-31
1285
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-25
1132
6.2.2
高温
气体刻蚀∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2021-12-31
1169
8.1.6 功率JFET
器件
的实现∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-21
795
6.3.4.2 MOS电容等效
威廉希尔官方网站
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-07
744
5.2.3 扩展缺陷对SiC
器件
性能的影响∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
909
全部
0
条评论
快来发表一下你的评论吧 !
发送
登录/注册
×
20
完善资料,
赚取积分