瞬变抑制二极管阵列SO-8封装，有哪些型号？

提及威廉希尔官方网站 保护器件，对于新老硬件电子工程师而言，并不陌生。威廉希尔官方网站 保护设计方案过程中，其中威廉希尔官方网站 保护器件选型是最耐电子工程师寻味的过程。威廉希尔官方网站 保护器件主要分为四类：雷击浪涌防护器件、过电压防护器件、过电流保护器件和静电防护器件。接下来要分享的是瞬变抑制二极管阵列SO-8封装产品常用型号：DW2.8-4LVUB-S、DW2.8-4LVU-S、DW2.8-8LVU-S、DW3.3-2PLC-S、DW3.3-4RDA-S、DW05-4RDA-S、DW06-2PLC-S、DW15-7MDA-S……

 

瞬变抑制二极管阵列

1）瞬变抑制二极管阵列DW2.8-4LVUB-S参数

工作电压：2.8V

最小击穿电压：3V

结电容：1.6pF

钳位电压：25V

峰值脉冲电流：22A

峰值脉冲功率：550W

漏电流：1uA

封装形式：SO-8

2）瞬变抑制二极管阵列DW3.3-2PLC-S参数

工作电压：3.3V

最小击穿电压：3.7V

结电容：5pF

钳位电压：20V

峰值脉冲电流：100A

峰值脉冲功率：1800W

漏电流：0.5uA

封装形式：SO-8

3）瞬变抑制二极管阵列DW15-7MDA-S参数

工作电压：15V

最小击穿电压：16V

结电容：20pF

钳位电压：45V

峰值脉冲电流：10A

峰值脉冲功率：450W

漏电流：0.5uA

封装形式：SO-8

 

瞬变抑制二极管阵列封装

 

由此可知，瞬变抑制二极管阵列参数有封装、工作电压、击穿电压、钳位电压、功率、电流、结电容等等，在瞬变抑制二极管阵列选型过程中，这些参数起到很重要的作用，最终型号的确认，则需要电子工程师根据EMC电磁兼容性测试结果来选择。那么，瞬变抑制二极管阵列选型技巧，有哪些呢？

 

1）瞬变抑制二极管阵列的工作电压要大于威廉希尔官方网站 中的最高工作电压；

2）瞬变抑制二极管阵列的箝位电压要小于后级威廉希尔官方网站 被保护芯片所能承受的最大峰值电压；

3）根据威廉希尔官方网站 设计布局及被保护线路数选择合适的封装形式。一般而言，封装形式越大，防护等级越高；

4）在通信接口静电防护中，要尤其注意传输速率和信号的频率，避免瞬变抑制二极管阵列结电容过高干扰通信质量；当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容瞬变抑制二极管阵列；

5）具体选型，建议在专业的技术指导下完成，选型、EMC测试、样品，一站式支持；

 

SO-8封装只是瞬变抑制二极管阵列封装形式的一种，想了解更多其他封装形式的ESD管，可直接咨询东沃电子！

SO-8封装瞬变抑制二极管型号