【大大鱼干的类比电源讲堂】Infineon IGBT的选型与应用之1

英飞凌 IGBT 模块的说明

模组有哪些种类与型式?

为什么需要模组?

什么时候需要用到模组?

我该选用模组或是单管?

我的应用空间是否足够?

模组有哪些种类与型式?

……

以上，都是工程师在面对新的专案的时候常常会面对到的问题。

本篇先仅就IGBT module几项重要参数进行说明，以便工程师可以在设计前期有一些选型的参考依据标准。

首先我们先来了解IGBT 模组的datasheet 标示含义:

Data Sheet 上的标示说明:

型号名称

数据表的第一部分以模块的型号命名开始，如下图所示:

Module Topology(模组内部威廉希尔官方网站 图拓朴)

 常用的几种包装的内部拓朴:

◊ FF(Dual Switch):

◊ FZ(Single Switch):

◊ FS(3phas Full Bridge—Sixpack):

◊ FP(Power integrated Module)

◊ F4(H Bridge):

◊ F3L(3-Level one leg IGBT module)

◊ DF(Booster)

◊ FD (Chopper configuration)

◊ 电流等级与工作电压:

06=600V ,

07=650V ,

12=1200V,

17=1700V

◊ 功能性(Functionality):

R:Reverse conducting,

S:Fast diode,

T:Reverse blocking.

◊ 包装机械构造(Mechanical construction)

K: Mechanical construction.

H: Package: IHM / IHV B-Series.

IPrimePACK

M:Econo Dual

N1~3:EconoPACK 1~3

O:EconoPACK+

P: EconoPACK4

U1~3Smart 1~3

V:Easy 750

W1~3:EasyPACK, EasyPIM 1~3

※有关包装尺寸与图片将以另行篇幅描述

 ◊ 芯片类型Chip Type

F:Fast switching IGBT chip

H:High speed IGBT chip

J:SiC JFET chip

L:Low Loss IGBT chip

S:Fast trench IGBT chip

E:Low Sat & fast IGBT chip

T:Fast trench IGBT

P:Soft switching trench IGBT

※有关芯片类型与应用场合将以另行篇幅描述

◊ 模组特性(Particularity of the module)

C:With Emitter Controlled-Diode

D:Higher diode current

F:With very fast switching diode

G:Module in big housing

I:Integrated cooling

P:Pre-applied thermal interface material

R:Reduced numbers of pins

T:Low temperature type

-K:Design with common cathode

※有关模组特性将与芯片类型以另行篇幅描述

◊ 结构变化Construction variation

B1~n: Construction variation

S1~n: Electrical selection

末：

Infineon 的IGBT Module 种类齐全且多样、丰富，但也不一定都是热门且库存稳定，若无从下手，或是希望能够避免花了时间选型选到非大宗用料，欢迎拨冗与SAC的业务或PM 取得联系。

<本篇未完，待续> 敬请关注后续更新！