CMPA2560025F是一种高电子迁移率的氮化镓(GaN)基于晶体管(HEMT)的单片微波集成威廉希尔官方网站
(MMIC)。与硅或砷化镓相比,GaN具有优越的性能,包括击穿电压越高,饱和电子漂移速度越高导热性。GaN HEMT还提供更大的功率密度和更宽的与Si和GaAs晶体管相比的带宽。此MMIC包含两级电抗匹配放大器,可实现非常宽的带宽可在具有铜钨散热片的小型封装中实现。
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