电流源负载共源放大器仿真设计

共源级放大器，负载为电流源，电流源采用电流镜实现，偏置为电阻与电流镜实现的简单偏置。各结点号已标注在图中，其中 GND 的默认结点号为 0 结点。

元器件参数：

• Main circuit: 电流源负载共源放大器

M1 OUT IN Gnd Gnd NMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

M2 OUT N2 Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

M3 N2 N2 Vdd Vdd PMOS L=2u W=22u AD=66p PD=24u AS=66p PS=24u

R4 N2 Gnd R TC=0.0, 0.0

C1 OUT GND C

vvdd Vdd Gnd 5.0

• End of main circuit: 电流源负载共源放大器

*DC analysis

电阻大小对直流传输特性的影响：R=1K~100K

电阻增大，高电平略有降低，低电平降低。转换电平减小，过渡区变窄

PMOS1 W/L对直流传输特性的影响：W=2u~200u

W增大，高电平略有降低，低电平降低。转换电平减小，过渡区变窄

PMOS2 W/L对直流传输特性的影响：W=2u~200u

W增大，高电平略有增大，低电平增大。转换电平增大，过渡区变宽

NMOS W/L对直流传输特性的影响：W=2u~200u

W增大，高电平略有降低，低电平降低。转换电平减小，过渡区变窄

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u

*C=1ff

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u C=1p

.param R=50K w1=50u w2=5u w3=50u C=1p

静态工作点：

vin in Gnd sin 0.5 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 1 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.6 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.7 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

vin in Gnd sin 0.4 0.1 1000 0.0 0.0 0.0

Ibias 为自偏置威廉希尔官方网站

DC ANALYSIS - temperature=25.0

v(N1) = 3.3954e+000

v(N2) = 5.4138e-002

v(N3) = 2.1050e+000

v(N4) = 2.9770e+000

v(Vdd) = 5.0000e+000

v(VN) = 1.2796e+000

i(vvdd) = -8.5459e-005