电子说
PN8044,18V 300MA DIP8 非隔离电源芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,PN8044内置650V高压启动模块。
PN8044产品特征:内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET.内置高压启动威廉希尔官方网站 .优化适用于18V输出非隔离应用.PN8044半封闭式稳态输出功率5.4W @230VAC 。PN8046半封闭式稳态输出功率9W @230VAC,改善EMI的降频调制技术,好的负载调整率和工作效率,过载保护(OLP)过温保护(OTP)欠压保护(UVLO)。
1.高压启动:在启动阶段,PN8044高性能ac-dc电源芯片内部高压启动管提供3mA电流对外部VDD电容进行充电;当VDD电压达到VDDON,芯片开始工作,高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后,输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量,供芯片继续工作。
2. 恒压工作模式:芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样,VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF,芯片开启集成的高压功率管,对储能电感充电,当电感电流达到内部基准电流IPEAK,芯片关闭集成的高压功率管,由系统二极管对储能电感续流。
3.PFM 调制:芯片工作在PFM模式,同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低,芯片开关周期每增大1us,Ipeak降低约6mA。由于芯片内置采样,最大Ipeak固定,当输出电压和输出电流固定时,电感感量是唯一调制工作频率的参数。建议电感量为0.8~1.6mH, 如果感量过小,系统带载能力会偏小,如果感量过大,容易造成电感饱和,影响可靠性。
4. 软启动:为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式,带来较大电流尖峰,PN8044设置软启动功能,通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间(300ns),以降低LEB时间内能量大小,避免系统启动时的高电流尖峰。
5. 智能保护功能:PN8044高性能ac-dc电源芯片集成全面的保护功能,包括:过温保护、VDD欠压保护功能,并且这些保护具有自恢复模式。过温保护------当芯片结温超过150℃,芯片进入过温保护状态,输出关闭,当芯片结温低于120度,芯片重新启动。VDD 欠压保护 ------ 当芯片 VDD 电压低于VDDoff,芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整,VDD电容越大,自恢复时间越长。
PN8044非隔离AC-DC电源芯片降压威廉希尔官方网站 ,采用BUCK拓扑结构,常见于小家电控制板电源以及工业控制电源供电,其典型威廉希尔官方网站 规格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等,满足六级能效要求。
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审核编辑:汤梓红
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