MOS场效应管的基础知识

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基础知识

结型场效应管栅极反偏但仍有电流,MOS场效应管栅极绝缘,没有电流。

结型场效应管(JFET)的输入电阻一般可达10e6 ~10e9 Ω,这个电阻从本质上来说是PN结的反向电阻,由于PN结在反向偏置时总会有一定量的反向电流存在,这就限制了输入电阻的进一步提高。与JFET不同,MOS场效应管的栅极处于不导电(绝缘)状态,它是利用半导体表面的电场效应进行工作的,也称为表面场效应器件,所以输入电阻可大为提高,最高可达10e15Ω。

MOS场效应管是以二氧化硅为绝缘层的金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)场效应管,简称为MOSFET。MOSFET的栅极与沟道之间由绝缘层隔离,输入电阻比JFET高得多。此外,MOSFET因集成工艺简单,集成密度很大,而成为现代超大规模集成威廉希尔官方网站 的主角。

场效应管

  MOSFET有增强型(E型)和耗尽型(D型)两类,其中每一类又有N沟道和P沟道之分:  

场效应管

  由于反型层属于电子导电型半导体层[N],而漏区和源区也是N型半导体,因此,反型层与漏区和源区之间不再有PN结势垒,而形成导电沟道。

场效应管

工作原理

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

  大信号特征方程

场效应管

 

场效应管

  小信号模型

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

 

场效应管

  场效应管与双极性管的比较

场效应管

 

场效应管

审核编辑:汤梓红

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jf_50670404 2023-08-19
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