混频相位噪声的恶化问题解析

号友发过来想要沟通的内容，“实际应用中混频相位噪声与理论相差还是比较大。相位噪声比较低的时候。”

我当时看到这的时候，其实我心里是这样想的，实测和理论差2dB还好吧，一般这种差别，都能被留的裕量给覆盖掉。

一般性能的PLL，谁会没有这2dB的裕量啊！

但是，号友做的产品不是一般的产品，对相噪要求太高了。图上的指标，都是在10KHz左右的相噪。而且，因为产品本身相噪指标要求高，再结合器件本身能达到的性能指标，能给的裕量基本就没有了。

要是器件能到个-174dBm/Hz，估计也不会去扣这个细节。

不过，用号友的话说，现在射频也是越来越卷了，无论使用场景上用不用的到这么高的性能，反正指标一定要往高里提，然后价格还要保持不变。

所以，即使器件能到-174dBm/Hz，甲方提的指标，估计也嗖的一下，跟上来了。

言归正传，我总结一下号友的问题：

他有两个源，都是内部晶振源倍频分频产生的信号，分别作为混频器的输入和本振。

疑惑一：假设RF=400MHz，-145dBc/Hz@10KHz；fLO=20MHz,-154dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF-fLO=380MHz时，混频出来的相噪是-142.5dBc/Hz@10KHz。

疑惑二：假设fRF=1600MHz,-138dBc/Hz@10KHz;  fLO=100MHz,-150dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF-fLO=1500MHz时，混频出来的相噪是是-139dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF+fLO=1700MHz时，混频出来的相噪是-137dBc/Hz@10KHz。

也就是说，这两个疑问包含两个问题，一个是，理论值和实测值，差了1~2dB；一个是，这个实测值，在理论值上下波动，一会好一会坏。

我用两个余弦函数分别代表RF信号和对应相噪，用另外的两个余弦函数分别代表LO信号和对应相噪，对疑惑一中的情况，算出来的理论值约为-144.5dBc/Hz。

然后又用ADS仿真了一下，结果如下图所示，不管是上变频还是下变频，仿真值，都是在-144.47dBc/Hz左右。

我俩也讨论，是不是闪烁噪声引起的，会不会和同源有啥关系？

所以，看到推送的你们，有没有什么高见呢？

审核编辑：刘清