新型SIC功率芯片结构设计及制造技术
模拟技术
2429人已加入
描述
栅极电压。上升过程，P阱中电子流向沟道，空穴流出P阱，在流经P阱电阻及P型欧姆接触电阻时，P阱瞬态电位上升，等效阈值电压升高;
漏极电压下降过程，P阱空间电荷区变窄，空穴流入P阱的空间电荷区，在流经P阱电阻及P型欧姆接触电阻时，P阱瞬态电位下降，有效阈值电压降低。
编辑：黄飞
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电子设备结构设计精选案例高级培训班2011-07-13 0
-
操作系统结构设计2011-09-13 0
-
手机结构设计心得2012-11-07 0
-
招聘结构设计师2014-01-24 0
-
招聘--结构设计师2015-09-25 0
-
浅谈产品结构设计特点2016-02-25 0
-
软件结构设计2016-09-26 0
-
希澈科技诚聘结构设计工程师2016-10-08 0
-
分享一款不错的基于SRAM编程技术的PLD核心可重构威廉希尔官方网站 结构设计2021-04-08 0
-
蝶式五轨滑盖结构设计与磁动力滑盖结构设计的不同之处在哪？2021-07-28 0
-
结构设计方面资料2010-08-09 993
-
轴系结构设计实验2009-03-13 57893
-
轮辐转子的结构设计2017-01-02 705
-
浅谈产品结构设计类别及产品结构设计的重要性2021-05-26 9341
-
FPC的结构设计.zip2023-03-01 546
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
