美光利用1β工艺技术提供高速7,200 MT/s DDR5内存

　　美光公司公布了将业界最高的 1β （1-beta） 技术扩展的16gb ddr5内存。美光公司的 1β DDR5 DRAM 最大功能为7200 mt/s，目前提供给所有数据中心和电脑客户。美光公司以 1β 为基础的ddr5内存使用了先进的高k cmos技术、4相时钟和时钟同步，与以前的产品相比，最大提高了50%，每瓦提高了33%的性能。

　　随着数据中心工作负载所需cpu核心数量的增加，对更高内存带宽和容量的要求增加，克服了“内存墙”问题，优化了总拥有费用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以进一步扩展性能，支持数据中心和客户端平台之间的人工智能（ai）训练和推理、生成ai、数据分析和内存数据库（imdb）应用程序。新的 1β DDR5 DRAM 产品线为数据中心和客户端应用提供了目前在4800 mt/s到7200 mt/s之间的模块密度。

　　美光计算设计集团副总裁布莱恩- callaway表示：“ 1β DDR5 DRAM 的客户端及数据中心平台的量产和上市是业界的重要里程碑。”通过与生态伙伴及客户的合作，推动这些高性能存储产品的迅速采用。“

　　美光公司的 1β 技术提供了广泛的基于内存的解决方案组合。其中包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7。

　　内存的名称由20nm节点变更为10nm，但更仔细地看，从1x、1y、1z分为1z三代，后面是1α，1β，1γ。

　　在1α，1β，1γ这三代中，三星开始对1使用euv技术，但代价和成本都很高。美光目前批量生产的一技术是最先进的。

　　1β工艺水平相当于13纳米，而美光公司仍然没有使用euv工程，因此可以避免使用昂贵的摄影师。美光公司通过第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺代替euv光刻，在1β存储器上提高了35%的存储器密度，节约了15%的电力。