盘点芯邦科技存储主控芯片 USB控制器芯片 SD卡控制器芯片
存储主控芯片是一种集成威廉希尔官方网站 芯片,用于控制和管理存储设备。它负责管理多个存储单元 (如内存、固态硬盘、闪存卡等)之间的数据传输和存取操作。存储主控芯片通常包括处理器、内存控制器、接口控制器等功能模块,以实现高效、可靠的数据传输和存储管理。
存储控制芯片通过控制NANDFlash存储芯片中各个存储单元电能的储存及释放实现数据的写入与擦除,是存储产品的核心器件。存储控制芯片需要能够识别 NANDFlash 存储芯片中存储单元的状态,避开坏区实现数据的有效写入,并最大化利用可用区域提升 NAND Flash 存储芯片的可用容量。
移动存储控制芯片设计需要深厚技术积累。NAND Flash 的商业化应用已超过 20 年,NANDFlash 存储晶圆工艺也已经历数次迭代,移动存储控制芯片设计企业对各品牌存储晶圆的技术迭代路径、工艺特性、性能特点需要进行长期的跟踪、归纳、总结、沉淀,才能设计出具备较强兼容性的移动存储芯片,因此移动存储控制芯片设计存在较高的行业壁垒。
芯邦科技通过自主研发的专用处理器及Flash控制算法,成功解决了flash应用市场中控制芯片难以适应、flash快速迭代等老大难问题,引领了该细分市场的技术标准,并取得了多项专利,彻底改变了该领域一直被海外厂商垄断供应的历史。
芯邦移动存储控制芯片采用的NAND Flash控制算法定制的专用处理器,可以兼容存储晶圆原厂的超过1000种NAND Flash存储芯片,同时具备更强的坏区识别、均衡擦写、数据纠错等能力,极大地提高移动存储产品的可用容量、使用寿命及读写速度,并提升移动存储产品的经济价值。
USB控制器芯片
CBM2199E
采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
最高支持16KB/PAGE flash,最高支持8192Page/Block
支持3D Nand flash和Toggle flash
支持3.3v/1.8v Flash,支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
Flash电压、电流可配,PAD/电源地可配置
最高频率166MHz
工作电压1.5-3.8V
待机电流《0.1uA,待机功耗《0.5uW(低功耗专利)
CBM2199s
支持3.3V/1.8V,8bit/16bit Nand Flash;
支持512B-8KB page size,7bit-43bit ecc纠错能力
创新的不间断纠错机制;
支持SD/MMC 1bit/4bit Host读卡器功能
支持SPI host读卡器功能
CBM2380
采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
最高支持16KB/PAGE flash,最高支持16KPAGE/Block
支持3.3v/1.8v Flash,支持3.3v/1.8v 电压自动trimming
PAD/电源地可配置,且LDO驱动能力支持软件配置。
工作电压:1.7V~3.6V 工作电压1.5-3.8V
待机电流《0.1uA,待机功耗《0.5uW(低功耗专利)
支持USB2.0/USB3.0
SD卡控制器芯片
CBM3380
支持SD2.0/SD3.0协议
采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
最高支持16KB/PAGE flash,最高支持8KPAGE/Block
支持3D Nand flash和Toggle flash
支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v Flash,支持3.3v/2.5v/1.8v/1.2v电压自动trimming
PAD/电源地可配置,且LDO驱动能力支持软件配置。
最高频率208MHz
工作电压:1.1-3.8V
待机电流《0.1mA,待机功耗《0.5uW(低功耗专利)
CBM3688
支持SD2.0协议
采用BCH ECC纠错算法,最高支持72bit/1K
采用55nm工艺,最高频率166MHz
兼容Windows,Linux,MacOS,Andriod等多系统平台
支持VCCQ 3.3V/1.8V VCC3.3V
最高支持16KB/PAGE flash,最高支持4KPAGE/Block
支持L型封装
关于芯邦科技
深圳芯邦科技股份有限公司是一家由归国留学生于2003年创立的国家高新技术企业,国家级专精特新小巨人企业。芯邦专注于智能控制芯片研发与应用,是国内芯片设计与整体解决方案领域的核心品牌。目前公司在模块化数模混合soc 技术拥有多项专利和丰富的技术经验,产品涵盖存储控制芯片、智能家电控制芯片、指纹识别控制芯片,超宽带UWB控制芯片,可广泛应用于智能家居、移动存储、消费电子、工业控制和汽车领域等多个应用场景。
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