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标题为“电源门控”的文章演示了电源门控单元的实现以及它如何帮助最大限度地减少 SoC 的泄漏功耗。其基本原理是切断从电池(VDD)到接地(GND)的直接路径。虽然有效地节省泄漏功率,实施讨论遭受一个主要的缺点!它不挽留的状态!这意味着,一旦SoC的功率恢复,功率门控单元的输出将变为“X”。你不能确定它是逻辑1还是逻辑0。在乎吗是的!因为如果这个X传播到设计中,整个设备就可能进入亚稳态!为了防止这种灾难性的情况:系统软件可以简单地重置SoC。这将从头启动,并确保所有设备都已初始化。
这意味着,每次我决定给我的SoC的一部分供电时,一旦恢复电源,我就必须重新设置那个电源门控部分。这对上一篇文章中讨论的电源门的应用施加了严重的限制。设计一个保持状态的电源门怎么样?但要说服自己,为了做到这一点,你需要花费,虽然很小,一些泄漏功率。我们把这个结构称为:状态保持伪功率门。术语“伪”意味着它将消耗一点泄漏功率,而不是先前的结构。但与此同时,您不再需要重置SoC的电源门控部分,因为标准单元保留了它们以前的数据!!不说了!下面我们来讨论一下实现。
以上威廉希尔官方网站 有两部分。
·红色椭圆形内部的结构与普通的功率门控结构相同。
·绿框内的一个(右边)是使该设备保持其状态所需的附加威廉希尔官方网站 。
操作:在进入睡眠模式之前,设备的输出为逻辑1。进入睡眠模式(关闭电源)后,睡眠晶体管开始工作,并切断设备的电源和接地轨,从而节省泄漏功率。但是右边的逻辑(在绿色矩形中)仍然是ON!反相器的输出现在将变成OUTPUT’,即逻辑0。这将反过来使PMOS晶体管Q1和输出将恢复到逻辑1。
当输出在电源门控之前为逻辑0时,情况也是如此。在这种情况下,NMOS晶体管Q0将起作用,以帮助输出节点保留其数据。
请注意:在此期间,当设备处于睡眠模式时,输出节点将继续泄漏。通过添加额外的威廉希尔官方网站
,如图所示,我们基本上是试图创建一个反馈回路,这再次有助于保持状态。命中,当然是4个晶体管的泄漏功率。然而,标准单元逻辑(红色椭圆形)通常是笨重的。即使是一个简单的双输入"与非"门本身也有4个晶体管。而更高阶的输入会有更多!同样的技术可以应用于任何顺序的设备,如触发器,锁存器,甚至时钟门控集成单元。
审核编辑:汤梓红
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