一文详解具备Quad SPI接口的8Mbit FeRAM

作为当今存储技术领域的热点之一，非易失性存储器（FeRAM）正逐渐成为市场上的主流存储解决方案。随着数据量爆炸式增长以及边缘计算的普及，非易失性存储器在保证数据安全、提高存储密度和降低功耗方面展现出巨大优势。

加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体提供的配备 Quad SPI 接口的 8Mbit FeRAM MB85RQ8MLX，其密度堪称 Fujitsu SPI 接口 FeRAM 产品系列之最。

MB85RQ8MLX 是一款具有 8Mbit 存储密度的非易失性存储器，可在 1.7V 至 1.95V 的低电源电压下工作。Quad SPI 接口 FeRAM 通过四个 I/O 引脚和 108MHz 的工作频率实现了 54MB/s 的数据读取/写入速度。它比运行在 50MHz 的其他 SPI 接口 FeRAM 产品快 8 倍以上，后者以 6.25MB/s 的速度传输数据。

MB85RQ8MLX 在高达 105°C 的高温环境中以最高 108MHz 的工作频率实现了每秒 54MB 的快速数据传输速率，同时具有高速运行和非易失性，非常适合高性能计算(HPC)、数据中心和工业计算，如可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)和RAID控制器。

FeRAM 使用示例   在工业计算中，由于高速数据处理导致计算单元中的环境温度升高，因此需要保证电子元件在高温环境中运行。MB85RQ8MLX将工作温度范围的上限从一般产品的 85°C 扩展到了 105°C，以满足工业使用中的关键要求。   FeRAM MB85RQ8MLX 不需要任何数据备份电池，并为使用低功耗 SRAM 作为缓冲器的客户带来无需电池的计算成本优势。  

此外，FeRAM是一款非易失性存储器产品，与传统的非易失性存储器（如闪存和EEPROM）相比，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等优点。富士通的FeRAM产品可以解决因使用闪存、EEPROM或低功耗SRAM而产生的问题。

客户问题及解决方案

案例一：使用闪存

问题：由于写入耐久性较低，软件开发负担较大

解决方案：通过使用具有高读/写耐久性的 FeRAM，无需开发用于磨损均衡开发的软件

案例二：EEPROM的使用

问题：数据写入时间长 解决方案：通过使用具有快速写入操作的 FeRAM 来减少数据写入时间

案例三：使用低功耗 SRAM

问题：数据备份电池的使用和额外费用

解决方案：不使用电池作为非易失性存储器的 FeRAM 提供 54MB/s 的数据传输速度

MB85RQ8MLX 自推出以后，富士通半导体现在有三种类型的 8Mbit 存储器产品。客户的终端产品需要不同的功能，凭借三种类型的 8Mbit 产品，该公司现在能够满足各种各样的客户需求，并以此为豪。

8Mbit 内存产品系列

审核编辑：刘清