提出了具有n 埋层PSOI(部分SOI) 结构的射频功率LDMOS 器件. 射频功率LDMOS 的寄生电容直接影响器件的输出特性. 具有n 埋层结构的PSOI 射频LDMOS ,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏至衬底结电容比常规LDMOS 和PSOI LDMOS 分别降低3911 %和2615 %. 1dB 压缩点处的输出功率以及功率增益比PSOI LDMOS 分别提高62 %和1116 % ,附加功率效率从3411 %增加到3713 %. 该结构器件的耐压比体硅LDMOS提高了14 %.
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