半导体分立器件静态参数测试仪系统产品介绍
HUSTEC-DC-2010晶体管直流参数测试系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,自主开发设计的全新一代“晶体管直流参数测试系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。
脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A)栅极电压40V,栅极电流10mA,分辨率至1mV/30pA,精度可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试Si,SiC,GaN材料的IGBTs,DIODEs,MOSFETs,BJTs,SCRs等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着的扩展性。
产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober接口、Handler接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本。
半导体分立器件静态参数测试仪系统产品信息
产品型号:HUSTEC-DC-2010
产品名称:元器件直流参数测试系统;
物理规格
主机尺寸:深 600*宽 400*高 200(mm)
主机重量:<35kg
主机颜色:白色系
电气环境
主机功耗:<100W
海拔高度:海拔不超过 4000m;
环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);
相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);
大气压力:86Kpa~106Kpa;
防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;
电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作时间:连续;
应用场景
Ø 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)
Ø 失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案)
Ø 选型配对(在器件焊接至威廉希尔官方网站 板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)
Ø 来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
Ø 量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)
产品特点
(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件;
(2) PC 机为系统的主控机;
(3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面;
(4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC,100K/S 采样速率;
(6) 程控高压源 10~1400V,提供 2KV 选配;
(7) 程控高流源 1uA~40A,提供 100A,300A,500A 选配;
(8) 驱动电压 10mV~40V;
(9) 控制极电流 10uA~10mA;
(10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确;
(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验;
(12) Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)
(13) 可为用户提供丰富的测试适配器
(14) 连接分选机测试量为每小时 1 万个
(15) 可以测试结电容,诸如 Cka,Ciss,Crss,Coss;
(16) 脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;
01. Diode / 二极管(稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥)
02. BJT / 三极管
03. Mosfet & JFET / 场效应管
04. SCR / 可控硅(单向/双向)
05. IGBT / 绝缘栅双极大功率晶体管
06. OC / 光耦
07. Relay / 继电器
08. Darlington tube / 达林顿阵列
09. Current sensor/电流传感器
10. 基准IC(TL431)
11. 电压复位IC
12. 稳压器(三端/四端)
13. 三端开关功率驱动器
14. 七端半桥驱动器
15. 高边功率开关
16. 电压保护器(单组/双组)
17. 开关稳压集成器
18. 压敏电阻
19.电压监控器
1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试,主要功能为曲线追踪仪)
2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)
3、选型配对(在器件焊接至威廉希尔官方网站 板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)
4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)
6、替代进口(可替代同级别进口产品)
测试参数
(1) 二极管类:二极管 Diode
Kelvin,Vrrm,Irrm,Vf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(选配);
(2) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)
Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;
(3) 二极管类:稳压二极管 ZD(Zener Diode)
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka;
(4) 二极管类:三端肖特基二极管 SBD(SchottkyBarrierDiode)
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(选配);
(5) 二极管类:瞬态二极管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;
(6) 二极管类:整流桥堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka;
(7) 二极管类:三相整流桥堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;
(8) 三极管类:三极管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr (选配)、Ts (选配)、Value_process;
(9) 三极管类:双向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;
(10)三极管类:单向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm;
(11)三极管类:MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ;
(12)三极管类:双 MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss;
(13)三极管类:JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss;
(14)三极管类:IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss;
(15)三极管类:三端开关功率驱动器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;
(16)三极管类:七端半桥驱动器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;
(17)三极管类:高边功率开关
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt;
(18)保护类:压敏电阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;
(19)保护类:单组电压保护器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(20)保护类:双组电压保护器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;
(21)稳压集成类:三端稳压器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;
(22)稳压集成类:基准 IC(TL431)
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;
(23)稳压集成类:四端稳压
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;
(24)稳压集成类:开关稳压集成器
选配;
(25)继电器类:4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(选配)、Toff(选配);
(26)光耦类:4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;
(27)传感监测类:
电流传感器(ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列)(选配); 霍尔器件(MT44XX 系列、A12XX 系列)(选配); 电压监控器(选配); 电压复位 IC(选配);
参数指标
1. 电流/电压源 VIS 自带 VI 测量单元
1). 加压(FV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 19.5mV | ±1% 设定值±10mV |
±20V | 10mV | ±1% 设定值±5mV |
±10V | 5mV | ±1% 设定值±3mV |
±5V | 2mV | ±1% 设定值±2mV |
±2V | 1mV | ±1% 设定值±2mV |
2).加流(FI):
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40A | 19.5mA | ±2% 设定值±20mA |
±4A | 1.95mA | ±1% 设定值±2mA |
±400mA | 1195uA | ±1% 设定值±200uA |
±40mA | 119.5uA | ±1% 设定值±20uA |
±4mA | 195nA | ±1% 设定值±200nA |
±400uA | 19.5nA | ±1% 设定值±20nA |
±40uA | 1.95nA | ±1% 设定值±2nA |
说明 :电流大于 1.5A 自动转为脉冲方式输出 ,脉宽范围 :300us-1000us 可调
3). 电流测量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40A | 1.22mA | ±1% 读数值±20mA |
±4A | 122uA | ±0.5% 读数值±2mA |
±400mA | 12.2uA | ±0.5% 读数值±200uA |
±40mA | 1.22uA | ±0.5% 读数值±20uA |
±4mA | 122nA | ±0.5% 读数值±2uA |
±400uA | 12.2nA | ±0.5% 读数值±200nA |
±40uA | 1.22nA | ±1% 读数值±20nA |
4). 电压测量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±40V | 1.22mV | ±1% 读数值±20mV |
±20V | 122uV | ±0.5% 读数值±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 读数值±200uV |
±5V | 1.22uV | ±0.5% 读数值±20uV |
2. 数据采集部分 VM
16 位 ADC ,100K/S 采样速率
1). 电压测量(MV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±2000V | 1.22mV | ±1% 读数值±20mV |
±100V | 122uV | ±0.5% 读数值±2mV |
±10V | 12.2uV | ±0.5% 读数值±200uV |
±1V | 1.22uV | ±0.5% 读数值±20uV |
2). 漏电流测量(MI)
量程 | 分辨率 | 精度 |
±100mA | 30uA | ±1% 读数值±30uA |
±10mA | 3uA | ±1% 读数值±3uA |
±1mA | 300nA | ±1% 读数值±300nA |
±100uA | 30nA | ±1% 读数值±30nA |
±10uA | 3nA | ±1% 读数值±10nA |
±1uA | 300pA | ±1% 读数值±10nA |
±100nA | 30pA | ±1% 读数值±5nA |
3). 电容容量测量(MC)
量程 | 分辨率 | 精度 |
6nF | 10PF | ±5% 读数值±50PF |
60nF | 100PF | ±5% 读数值±100PF |
3. 高压源 HVS(基本)12 位 DAC
1).加压(FV)
量程 | 分辨率 | 精度 |
1400V/5mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值±500mV |
200V/10mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值±500mV |
40V/50mA | 30.5mV | ±0.5% 设定值±500mV |
2).加流(FI):
量程 | 分辨率 | 精度 |
10mA | 4.88uA | ±2% 设定值±10uA |
2mA | 488nA | ±1% 设定值±2uA |
200uA | 48.8nA | ±1% 设定值±200nA |
20uA | 4.88nA | ±1% 设定值±20nA |
2uA | 488pA | ±2% 设定值±10nA |
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